(EN) Provided is an MEMS structure wherein detection accuracy is improved by reducing a capacitance change caused by warpage generated in a substrate due to temperature dependency. In a first sensor 21, a weight section 24 and a third fixed electrode 55 that is provided on the substrate 12 face each other in the Z direction orthogonal to the plane of a substrate 12, and constitute a capacitor. When a closed curve 61 connecting two anchors 41 to each other in a plan view of the substrate 12 is set, the third fixed electrode 55 has a portion inside of the closed curve 61 as a first electrode section 55A, and a portion provided outside of the closed curve as a second electrode section 55B. The first sensor 21 has a relationship wherein a capacitance change quantity between the first electrode section 55A and the weight section 24 is cancelled by a capacitance change quantity between the second electrode section 55B and the weight section 24, in the cases where the warpage of the substrate 12 is generated due to a temperature change.
(FR) La présente invention concerne une structure MEMS dans laquelle une précision de détection est améliorée par la réduction d'une variation de capacité provoquée par le gauchissement généré dans un substrat dû à une dépendance en température. Dans un premier capteur 21, une section de poids 24 et une troisième électrode fixe 55 qui est disposée sur le substrat 12 se font mutuellement face dans la direction Z orthogonale au plan d'un substrat 12, et constituent un condensateur. Lorsqu'une courbe fermée 61 reliant deux éléments d'ancrage 41 entre eux dans une vue en plan du substrat 12 est établie, la troisième électrode fixe 55 a une partie à l'intérieur de la courbe fermée 61 sous forme d'une section de première d'électrode 55A, et une partie prévue à l'extérieur de la courbe fermée sous forme d'une section de deuxième électrode 55B. Le premier capteur 21 a une relation dans laquelle une quantité de variation de capacité entre la section de première électrode 55A et la section de poids 24 est annulée par une quantité de variation de capacité entre la section de deuxième électrode 55B et la section de poids 24, dans les cas où le gauchissement du substrat 12 est généré dû à un changement de température.
(JA) 温度依存によって基板に生じる反りに起因した静電容量の変化を低減して、検出精度の向上が図れるＭＥＭＳ構造体を提供する。第１のセンサ２１は、錘部２４と、基板１２上に設けられた第３固定電極５５とは、基板１２の平面に直交するＺ方向において対向しコンデンサを構成する。第３固定電極５５は、基板１２の平面視において２つのアンカー４１を結ぶ閉曲線６１を設定した場合に、当該閉曲線６１の内側となる部分を第１電極部５５Ａ、外側に設けられた部分を第２電極部５５Ｂとする。そして、第１のセンサ２１を、温度変化による基板１２の反りが発生した場合に、第１電極部５５Ａと錘部２４との間の静電容量の変化量が、第２電極部５５Ｂと錘部２４との間の静電容量の変化量によって打ち消される関係とする。
