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1. (WO2016038744) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/038744    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/074314
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 12.09.2014
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : SANO Atsushi; (JP).
HIROSE Yoshiro; (JP)
Mandataire : FUKUOKA Masahiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)This method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a film, which has a borazine ring skeleton and contains a specific element, boron and nitrogen, on a substrate by performing a cycle, which comprises a step for supplying a starting material gas containing the specific element and a halogen element to the substrate, a step for supplying a first boron-containing gas that contains a borazine ring skeleton to the substrate and a step for supplying a second boron-containing gas that does not contain a borazine ring skeleton to the substrate, several times under such conditions where the borazine ring skeleton in the first boron-containing gas is maintained.
(FR)Le présent procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs comprend une étape consistant à former un film, qui a un squelette à cycle borazine et contient un élément spécifique, du bore et de l'azote, sur un substrat par mise en œuvre d'un cycle, qui comprend une étape consistant à appliquer un gaz de substance de départ contenant l'élément spécifique et un élément halogène sur le substrat, une étape consistant à appliquer un premier gaz contenant du bore qui contient un squelette à cycle borazine sur le substrat et une étape consistant à appliquer un second gaz contenant du bore qui ne contient pas de squelette à cycle borazine sur le substrat, plusieurs fois dans des conditions dans lesquelles le squelette à cycle borazine dans le premier gaz contenant du bore est maintenu.
(JA)基板に対して所定元素およびハロゲン元素を含む原料ガスを供給する工程と、基板に対してボラジン環骨格を含む第1の硼素含有ガスを供給する工程と、基板に対してボラジン環骨格非含有の第2の硼素含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、第1の硼素含有ガスにおけるボラジン環骨格が保持される条件下で、所定回数行うことで、基板上に、ボラジン環骨格を有し、所定元素、硼素、および窒素を含む膜を形成する工程を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)