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1. (WO2016038637) PROCÉDÉ DE TIRAGE DE STRUCTURES NANO-HÉTÉRO-ÉPITAXIALES MULTICOUCHES AVEC DES RÉSEAUX DE POINTS QUANTIQUES DE SEMI-CONDUCTEUR ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT PAR CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/038637    N° de la demande internationale :    PCT/IT2015/000212
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 07.09.2015
CIB :
C30B 29/42 (2006.01), C30B 29/44 (2006.01), C30B 19/08 (2006.01), C30B 19/10 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01), C30B 29/08 (2006.01)
Déposants : ITALIA SYNTESALLOYS S.P.A. [IT/IT]; Via Lamarmora 12 13900 Biellla (IT)
Inventeurs : KONONOV, Alexandr; (IT)
Mandataire : Garavelli, Paolo; A.Bre.Mar S.R.L. Via Servais 27 10146 Torino (IT)
Données relatives à la priorité :
TO2014A000706 10.09.2014 IT
Titre (EN) PROCESS FOR GROWING MULTI-LAYER NANO-HETERO-EPITAXIAL STRUCTURES WITH ARRAYS OF SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS AND SEMICONDUCTOR MATERIAL PRODUCED THROUGH SUCH PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE TIRAGE DE STRUCTURES NANO-HÉTÉRO-ÉPITAXIALES MULTICOUCHES AVEC DES RÉSEAUX DE POINTS QUANTIQUES DE SEMI-CONDUCTEUR ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT PAR CE PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)A process is described for growing multi-layer nano-hetero-epitaxial semiconductor structures with arrays of semiconductor quantum dots, obtained from the metal-semiconductor structural phase transition. A semiconductor material produced through such process is also described.
(FR)L'invention concerne un procédé de tirage de structures de semiconducteur nano-hétéro-épitaxial multicouches avec des réseaux de points quantiques de semi-conducteur, obtenues à partir de la transition de phase structurelle métal-semi-conducteur. Un matériau semi-conducteur produit par ce procédé est également décrit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)