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1. (WO2016038099) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NITRURE CONTENANT DU GALLIUM MONOCRISTALLIN ET NITRURE CONTENANT DU GALLIUM MONOCRISTALLIN, PRÉPARÉ AVEC CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/038099    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/070633
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 09.09.2015
CIB :
C30B 7/10 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)
Déposants : AMMONO S.A. W UPADLOSCI LIKWIDACYJNEJ [PL/PL]; Prusa 2 PL-00-493 Warszawa (PL)
Inventeurs : KUCHARSKI, Robert; (PL).
ZAJAC, Marcin; (PL).
PSZCZOLA, Dorota; (PL).
KOROLCZUK, Weronika; (PL)
Mandataire : SIELEWIESIUK, Jakub; (PL)
Données relatives à la priorité :
P.409465 11.09.2014 PL
Titre (EN) A METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE GALLIUM CONTAINING NITRIDE AND MONOCRYSTALLINE GALLIUM CONTAINING NITRIDE, PREPARED WITH THIS METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NITRURE CONTENANT DU GALLIUM MONOCRISTALLIN ET NITRURE CONTENANT DU GALLIUM MONOCRISTALLIN, PRÉPARÉ AVEC CE PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)The subject of the invention is the method for producing monocrystalline gallium containing nitride from a source material containing gallium in the environment of supercritical ammonia solvent with the addition of a mineralizer containing the element of Group I (IUPAC, 1989), wherein in an autoclave two temperature zones are generated, i.e. the dissolution zone with lower temperature containing the source material, and the crystallization zone located below it with higher temperature, containing at least one seed, the dissolution process of the source material and crystallization of gallium containing nitride on at least one seed is carried out, wherein at least two further components are introduced into the process environment, namely: • c) the oxygen getter in the molar ratio to ammonia of from 0.0001 to 0.2; • d) the acceptor dopants in the mole ratio to ammonia of not more than 0.1; characterized in that the acceptor dopant constitutes manganese, iron, vanadium or carbon, or a combination thereof. The invention comprises also monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method.
(FR)L'objet de l'invention est le procédé de production de nitrure contenant du gallium monocristallin à partir d'un matériau source contenant du gallium dans l'environnement de solvant contenant de l'ammoniac supercritique avec l'addition d'un agent de minéralisation contenant un élément du groupe I (IUPAC,1989), dans lequel dans un autoclave deux zones de température sont générées, c'est-à-dire la zone de dissolution de température plus basse, contenant le matériau source, et la zone de cristallisation située en-dessous de celle-ci de température plus haute, contenant au moins un germe, le processus de dissolution du matériau de source et de cristallisation du nitrure contenant du gallium sur au moins un germe est effectué, dans lequel au moins deux autres composants sont introduits dans l'environnement du processus, à savoir : •c) un capteur d'oxygène dans un rapport molaire à l'ammoniac de 0,0001 à 0,2; • d) un dopant accepteur dans un rapport molaire à l'ammoniac de pas plus de 0,1; caractérisé en ce que le dopant accepteur est constitué de manganèse, de fer, de vanadium ou de carbone, ou d'une combinaison de ceux-ci. L'invention comprend également du nitrure contenant du gallium monocristallin préparé avec ce procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)