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1. (WO2016037990) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE DIODE ET UN DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/037990    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/070411
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 07.09.2015
CIB :
H01L 29/866 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : IPDIA [FR/FR]; 2, rue de la Girafe F-14000 Caen (FR)
Inventeurs : FERRU, Gilles; (FR).
NOHLIER, Nicolas; (FR).
COURIVAUD, Bertrand; (FR)
Mandataire : CABINET PLASSERAUD / GROUPEMENT 280; 66, rue de la Chaussée d'Antin 75440 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
14306394.9 10.09.2014 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A DIODE AND ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE DIODE ET UN DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprising at least two holes (18, 20) realised in a substrate (6), having each a width and a depth, and forming a diode (4), wherein the substrate (6) has a determined type of doping, wherein the inner wall of each hole (18, 20) is doped so that its doping is of the other type than the doping of the substrate (6), and wherein the width and/or the depth of a hole (18, 20) is different from the width and/or the depth of a neighboring hole.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant au moins deux trous (18, 20) réalisés dans un substrat (6), ayant chacun une largeur et une profondeur, et formant une diode (4). Le substrat (6) a un type déterminé de dopage, la paroi interne de chaque trou (18, 20) est dopée de sorte que son dopage est de l'autre type que le dopage du substrat (6), et la largeur et/ou la profondeur d'un trou (18, 20) est différente de la largeur et/ou la profondeur d'un trou voisin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)