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1. (WO2016037380) CIRCUIT D'ENTRAÎNEMENT D'ÉLECTRODE DE GRILLE BASÉ SUR UN PROCESSUS IGZO
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/037380    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/086888
Date de publication : 17.03.2016 Date de dépôt international : 19.09.2014
CIB :
G09G 3/36 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : XIAO, Juncheng; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410457955.X 10.09.2014 CN
Titre (EN) GATE ELECTRODE DRIVE CIRCUIT BASED ON IGZO PROCESS
(FR) CIRCUIT D'ENTRAÎNEMENT D'ÉLECTRODE DE GRILLE BASÉ SUR UN PROCESSUS IGZO
(ZH) 基于IGZO制程的栅极驱动电路
Abrégé : front page image
(EN)A gate electrode drive circuit based on an IGZO process, comprising a plurality of cascaded GOA units; an N-th level GOA unit comprises a pull-up control part (100), a pull-up part (200), a transfer part (300), a pull-down part (400), a pull-down holding part (500) and a boost part (600), and introduces a first negative potential (VSS1), a second negative potential (VSS2) and a third negative potential (VSS3); and the three negative potentials decrease sequentially, and respectively conduct pull-down processing on an output end (G(N)), a first node (Q(N)), a second node (P(N)) and a drive signal end (ST(N)), thus effectively preventing the problem of leakage of a special TFT of a circuit. The conduction channel of a TFT switch in the gate electrode drive circuit based on an IGZO process is an oxide semiconductor conduction channel.
(FR)L'invention concerne un circuit d'entraînement d'électrode de grille basé sur un processus IGZO, comprenant une pluralité d'unités GOA en cascade ; une unité GOA de N-ième niveau comprenant une partie de commande de tirage vers le haut (100), une partie de tirage vers le haut (200), une partie de transfert (300), une partie de tirage vers le bas (400), une partie de maintien de tirage vers le bas (500) et une partie d'amplification (600), et introduisant un premier potentiel négatif (VSS1), un deuxième potentiel négatif (VSS2) et un troisième potentiel négatif (VSS3) ; et les trois potentiels négatifs diminuant séquentiellement, et conduisant respectivement un traitement de tirage vers le bas sur une extrémité de sortie (G(N)), un premier nœud (Q(N)), un second nœud (P(N)) et une extrémité de signal d'entraînement (ST(N)), ce qui évite efficacement le problème de fuite d'un transistor à couches minces spécial d'un circuit. Le canal de conduction d'un commutateur de transistor à couches minces dans le circuit d'entraînement d'électrode de grille basé sur un processus IGZO est un canal de conduction à semi-conducteur d'oxyde.
(ZH)一种基于IGZO制程的栅极驱动电路,包括:级联的多个GOA单元,第N级GOA单元包括:一上拉控制电路(100)、一上拉电路(200)、一下传电路(300)、一下拉电路(400)、一下拉保持电路(500)、一上升电路(600),并引入了第一负电位(VSS1)、第二负电位(VSS2)与第三负电位(VSS3),该三个负电位依次降低,分别对输出端(G(N)),第一节点(Q(N))、第二节点(P(N)),驱动信号端(ST(N))做下拉处理,有效防止了电路特殊TFT漏电的问题。该基于IGZO制程的栅极驱动电路中的TFT开关的导通沟道为氧化物半导体导通沟道。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)