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1. (WO2016037141) GRILLE À L'ÉCHELLE ATOMIQUE PERMETTANT DE MODÉLISER DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/037141    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/048702
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 04.09.2015
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : SYNOPSYS, INC. [US/US]; 690 East Middlefield Road Mountain View, California 94043 (US)
Inventeurs : MOROZ, Victor; (US).
SMITH, Stephen Lee; (US)
Mandataire : WOLFELD, Warren S.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/479,070 05.09.2014 US
Titre (EN) ATOMIC SCALE GRID FOR MODELING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION PROCESSES
(FR) GRILLE À L'ÉCHELLE ATOMIQUE PERMETTANT DE MODÉLISER DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Roughly described, a system for simulating a temporal process in a body includes a meshing module to impose a grid of nodes on the body, the grid having a uniform node spacing which is less than the quantum separation distance in silicon. A system of node equations is provided, including at least one node equation for each of a plurality of nodes of the grid. The node equations describe behavior of at least one physical quantity at that node through each time step of the process. An iterating module iterates through the time steps to determine values for physical quantities of the body at the end of the simulation period. Preferably one particle of the body is assigned to each node of the grid. For moving boundary processes, boundary movement can be represented simply by changing the particle type assigned to various nodes of the grid as the boundary advances.
(FR)L'invention concerne, de façon générale, un système permettant de simuler un processus temporel dans un corps, ledit système comprenant un module de maillage destiné à imposer une grille de nœuds sur le corps, la grille ayant un espacement de nœuds uniforme qui est inférieur à la distance de séparation quantique dans le silicium. On fournit un système d'équations nodales comprenant au moins une équation nodale pour chaque nœud d'une pluralité de nœuds de la grille. Les équations nodales décrivent le comportement d'au moins une grandeur physique au niveau de ce nœud pendant chaque intervalle de temps du processus. Un module d'itération se répète pendant les intervalles de temps pour déterminer des valeurs pour les grandeurs physiques du corps à la fin de la période de simulation. De préférence, une particule du corps est attribuée à chaque nœud de la grille. Pour des traitements de limite mobile, le déplacement des limites peut être représenté simplement par modification du type de particule attribué à divers nœuds de la grille au fur et à mesure que la limite avance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)