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1. (WO2016036838) FILMS MINCES MULTIFERROÏQUES À TEMPÉRATURE AMBIANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/036838    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/048113
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 02.09.2015
CIB :
H01L 41/318 (2013.01), H01L 43/12 (2006.01), C01G 23/053 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 233 Grinter Hall Gainesville, FL 32611 (US)
Inventeurs : KIM, Kyoung Tae; (US).
YOON, Yong-kyu; (US)
Mandataire : SCHOEN, Randy, R.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/080,601 17.11.2014 US
62/045,304 03.09.2014 US
Titre (EN) ROOM TEMPERATURE MULTIFERROIC THIN FILMS
(FR) FILMS MINCES MULTIFERROÏQUES À TEMPÉRATURE AMBIANTE
Abrégé : front page image
(EN)Various examples are provided for multiferroic thin films. In one example, a multiferroic thin film device includes a thin film of multiferroic material and an electrode disposed on a side of the thin film of multiferroic material. The multiferroic material can be (Fex,Sr1-x)TiO3 In another example, a method for producing a multiferroic thin film includes forming a multiferroic precursor; disposing the multiferroic precursor on a substrate to form a multiferroic coating; pre-baking the multiferroic coating on the substrate to form a pre-baked multiferroic thin film; and annealing the pre-baked multiferroic thin film under an oxygen atmosphere to form a crystalized multiferroic thin film. One or more electrodes can be formed on the crystalized multiferroic thin film.
(FR)La présente invention concerne différents exemples de films minces multiferroïques. Dans un exemple, un dispositif à film mince multiferroïque comprend un film mince de matériau multiferroïque et une électrode disposée sur un côté du film mince de matériau multiferroïque. Le matériau multiferroïque peut être (Fex, Sri_x) TiO3. Dans un autre exemple, un procédé de production d'un film mince multiferroïque comprend la formation d'un précurseur multiferroïque; la disposition du précurseur multiferroïque sur un substrat pour former un revêtement multiferroïque; la précuisson du revêtement multiferroïque sur le substrat pour former un film mince multiferroïque précuit; et le recuit du film mince multiferroïque précuit sous une atmosphère d'oxygène afin de former un film mince multiferroïque cristallisé. Une ou plusieurs électrodes peuvent être formées sur le film mince multiferroïque cristallisé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)