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1. (WO2016036156) DIODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/036156    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/009284
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 03.09.2015
CIB :
H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION [KR/KR]; (Sillim-dong) 1, Gwanak-ro, Gwanak-gu Seoul 08826 (KR)
Inventeurs : KIM, Youn-sang; (KR).
LEE, Eung-kyu; (KR).
LIM, Keon-hee; (KR)
Mandataire : NOH, Kyong-kyu; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0118800 05.09.2014 KR
10-2015-0018620 06.02.2015 KR
10-2015-0124055 02.09.2015 KR
Titre (EN) DIODE
(FR) DIODE
(KO) 다이오드
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a diode of a novel structure, capable of reducing manufacturing costs when compared with other diodes such as a PN-junction diode and a transistor-back-to-back diode, having excellent process stability, durability and electrical characteristics, and having simple manufacturing by using a thin-film process widely used in the industry.
(FR)La présente invention concerne une diode dotée d'une structure nouvelle, capable de réduire les coûts de fabrication par rapport à d'autres diodes telles qu'une diode à jonction PN et une diode dos à dos de transistor, ayant une excellente stabilité de traitement, une excellente durabilité et d'excellentes caractéristiques électriques, et ayant une fabrication simple grâce à l'utilisation d'un procédé de couche mince largement utilisé dans l'industrie.
(KO)본 발명은 PN 접합 다이오드, 트랜지스터 백투백 다이오드(transistor-back-to-back diode) 등의 다른 다이오드에 비해 제조 비용을 절감할 수 있고, 공정안정성, 내구성, 전기적 특성이 우수하며, 산업에서 널리 쓰이는 박막 공정으로 제작이 용이한 신규한 구조의 다이오드에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)