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1. (WO2016035627) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2016/035627    International Application No.:    PCT/JP2015/073948
Publication Date: 10 mars 2016 International Filing Date: 26 août 2015
IPC: H01L 21/336
G02F 1/1368
G09F 9/30
H01L 21/28
H01L 29/786
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: SAITOH Takao
斉藤 貴翁
KANEKO Seiji
金子 誠二
KANZAKI Yohsuke
神崎 庸輔
TAKAMARU Yutaka
高丸 泰
IDE Keisuke
井手 啓介
MATSUO Takuya
松尾 拓哉
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Selon l'invention, un substrat de réseau (dispositif à semi-conducteurs) (11b) est pourvu d'un film de semi-conducteur d'oxyde (31) comportant un matériau de semi-conducteur d'oxyde, un premier film d'isolation inter-couche (premier film d'isolation) (33) disposé sur le côté de couche supérieure du film de semi-conducteur d'oxyde (31), et un second film d'isolation inter-couche contenant de l'hydrogène (second film d'isolation) (34) disposé sur le côté de couche supérieure du premier film d'isolation inter-couche (33). Le film de semi-conducteur d'oxyde (31) est configuré de telle sorte qu'un câblage de condensateur (22) constituant une partie du film de semi-conducteur d'oxyde (31) est une partie de faible résistance, qui présente une résistance électrique inférieure à celle de parties de canal (17d, 26d), qui sont d'autres parties du film de semi-conducteur d'oxyde (31); le câblage de condensateur (22) qui est la partie de faible résistance étant séparé des parties de canal (17d, 26d) qui sont les autres parties du film de semi-conducteur d'oxyde (31). Le premier film d'isolation inter-couche (33) possède une partie d'ouverture (33a) formée dans un emplacement chevauchant le câblage de condensateur (22) qui est la partie de faible résistance.