WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016035503) TRANSISTOR A COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/035503    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/072326
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 06.08.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO(KOBE STEEL, LTD.) [JP/JP]; 2-4, Wakinohama-Kaigandori 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP)
Inventeurs : OCHI, Mototaka; .
TAKANASHI, Yasuyuki; .
MIKI, Aya; .
GOTO, Hiroshi; .
KUGIMIYA, Toshihiro;
Mandataire : UEKI, Kyuichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-178587 02.09.2014 JP
2014-245124 03.12.2014 JP
2015-132533 01.07.2015 JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)This thin film transistor has a gate electrode, a gate insulating film, an oxide semiconductor thin film, an etch stop layer for protecting the oxide semiconductor thin film, a source and drain electrodes, and a protection film in this order on a substrate. The oxide semiconductor thin film is formed of an oxide configured from In, Ga and Sn as metal elements, and O, and has an amorphous structure, and the etch stop layer and/or the protection film includes SiNx. The thin film transistor has an extremely high mobility of approximately 40 cm2/Vs or more.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces comprenant une électrode de grille, un film d'isolation de grille, un film mince semi-conducteur à oxyde, une couche d'arrêt de gravure pour protéger le film mince semi-conducteur à oxyde, des électrodes de source et de drain et un film de protection, prévus dans cet ordre sur un substrat. Le film mince semi-conducteur à oxyde est fait d'un oxyde choisi dans le groupe comprenant In, Ga et Sn comme éléments métalliques, et O, et présente une structure amorphe, et la couche d'arrêt de gravure et/ou le film de protection comprend/comprennent du SiNx. Ce transistor à couches minces présente une mobilité extrêmement élevée supérieure ou égale à environ 40 cm2/Vs.
(JA) 基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体薄膜、酸化物半導体薄膜を保護するためのエッチストップ層、ソース・ドレイン電極、および保護膜をこの順序で有する薄膜トランジスタであって、酸化物半導体薄膜は、金属元素としてIn、GaおよびSnと;Oと;で構成される酸化物からなり、アモルファス構造を有し、かつ、前記エッチストップ層及び前記保護膜の両方または一方がSiNxを含む。この薄膜トランジスタは約40cm2/Vs以上の極めて高い移動度を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)