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1. (WO2016035249) FOUR DE RÉACTION POUR LA PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, ET BARREAU OU LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Pub. No.:    WO/2016/035249    International Application No.:    PCT/JP2015/003820
Publication Date: 10 mars 2016 International Filing Date: 29 juil. 2015
IPC: C01B 33/035
Applicants: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
信越化学工業株式会社
Inventors: NETSU, Shigeyoshi
祢津 茂義
HOSHINO, Naruhiro
星野 成大
OKADA, Tetsuro
岡田 哲郎
SAITO, Hiroshi
斉藤 弘
Title: FOUR DE RÉACTION POUR LA PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, ET BARREAU OU LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abstract:
Cette invention concerne un four de réaction pour la production de silicium polycristallin qui est conçu de façon que le four de réaction ait un espace de réaction interne dont le rapport des sections transversales (S = [S0-SR]/SR) satisfait 2,5 ou plus quand un barreau de silicium polycristallin qui croît par dépôt de silicium polycristallin est de 140 mm ou plus, le rapport des sections transversales (S = [S0-SR]/SR) de l'espace de réaction étant défini par la section transversale interne (S0) du four de réaction dans le sens vertical par rapport au corps dudit four de réaction et par la somme totale (SR) des sections transversales du barreau de silicium polycristallin. Le four de réaction a un espace de réaction interne suffisant, même quand le diamètre du barreau de silicium polycristallin s'agrandit. Par conséquent, une bonne circulation de gaz peut être maintenue dans le four de réaction. En conséquence, même quand le diamètre du barreau de silicium polycristallin s'agrandit, il est possible de réguler la concentration de gaz de réaction et la température du gaz dans les plages adéquates dans une couche limite de dépôt de silicium.