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1. (WO2016034640) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/034640    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/070077
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 02.09.2015
CIB :
H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : OTTO, Isabel; (DE).
PFEUFFER, Alexander F.; (DE).
SCHOLZ, Dominik; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss Nr. 175 Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 112 750.1 04.09.2014 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend -eine erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), zumindest einer Vertiefung (211) und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211), -eine aktive Schicht (23) und -eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei -die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam in eine Vielzahl von Bereiche (221, 231) strukturiert sind und jeder Bereich (221, 231) zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) einen Emissionsbereich (3) bildet, B) Gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (41) auf der ersten Deckfläche (21a) und einer zweiten Kontaktschicht (42) auf einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten zweiten Deckfläche (3a) der Emissionsbereiche(3) derart, dass -die erste Kontaktschicht (41) und diezweite Kontaktschicht (42) elektrisch voneinander getrennt sind und -die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) parallel zueinander verlaufen.
(EN)A method is specified for producing an optoelectronic semiconductor component, comprising the following steps: A) providing a structured semiconductor layer sequence (21, 22, 23) having – a first semiconductor layer (21) with a base region (21c), at least one well (211), and a first cover region (21a) in the region of the well (211) facing away from the base surface (21c), – an active layer (23), and – a second semiconductor layer (22) on a side of the active layer (23) facing away from the first semiconductor layer (21), wherein – the active layer (23) and the second semiconductor layer (22) are structured jointly in a plurality of regions (221, 231) and each region (221, 231) forms, together with the first semiconductor layer (21), an emission region (3), B) simultaneous application of a first contact layer (41) on the first cover surface (21a) and a second contact layer (42) on a second cover surface (3a) of the emission regions (3) facing away from the first semiconductor layer (21) in such a way that – the first contact layer (41) and the second contact layer (42) are electrically separated from each other, and – the first contact layer (41) and the second contact layer (42) run parallel to each other.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur optoélectronique, comportant les étapes consistant à : A) mettre à disposition une succession de couches semi-conductrices structurée (21, 22, 23) comportant - une première couche semi-conductrice (21) dotée d'une surface inférieure (21c), d'au moins un enfoncement (211) et d'une première surface supérieure (21a) opposée à la surface inférieure (21c) dans la zone des enfoncements (211), - une couche active (23) et - une seconde couche semi-conductrice (22) sur un côté de la couche active (23) opposé à la première couche semi-conductrice (21), la couche active (23) et la seconde couche semi-conductrice (22) étant structurées conjointement en une pluralité de zones (221, 231) et chaque zone (221, 231) formant avec la première couche semi-conductrice (21) une zone d'émission (3), B) appliquer simultanément une première couche de contact (41) sur la première surface supérieure (21a) et une seconde couche de contact (42) sur une seconde surface supérieure (3a) des zones d'émission (3) opposée à la première couche semi-conductrice (21) de telle manière que - la première couche de contact (41) et la seconde couche de contact (42) sont séparées électriquement l'une de l'autre et - que la première couche de contact (41) et la seconde couche de contact (42) sont parallèles l'une à l'autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)