WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016033977) DISPOSITIF D'ÉNERGIE À PLAQUE DE CHAMP INCLINÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF D'ÉNERGIE À PLAQUE DE CHAMP INCLINÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/033977    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/077305
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 23.04.2015
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Déposants : GPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; ROOM 517B, NW-20, 99 Jinji Lake Avenue, Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123 (CN)
Inventeurs : LI, Yuan; (CN).
PEI, Yi; (CN).
LIU, Feihang; (CN)
Mandataire : BEYOND ATTORNEYS AT LAW; F6, Xijin Centre 39 Lianhuachi East Rd., Haidian District Beijing 100036 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410440179.2 01.09.2014 CN
Titre (EN) INCLINED FIELD PLATE POWER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE INCLINED FIELD PLATE POWER DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉNERGIE À PLAQUE DE CHAMP INCLINÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF D'ÉNERGIE À PLAQUE DE CHAMP INCLINÉE
(ZH) 一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)An inclined field plate power device and a method for fabricating the inclined field plate power device. The inclined field plate power device includes a substrate (11), a multi-layer semiconductor layer (12) located on the substrate, a source electrode (13) and a drain electrode (14) located on the multi-layer semiconductor layer, a gate electrode (15) between the source electrode and the drain electrode, and a dielectric layer (16) located on the gate electrode and the multi-layer semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode, and a groove exists on the dielectric layer and the side face of the groove has gradient, and an inclined field plate structure (17) locates on the inner wall of the groove. The inclined field plate power device enables obvious high peak electric fields not to be generated on the surface of the power device any more, areas which are easy to break down are eliminated, the voltage-resistance performance of the integral power device is enhanced and the high-frequency characteristics of the power device are improved.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'énergie à plaque de champ inclinée et un procédé de fabrication du dispositif d'énergie à plaque de champ inclinée. Le dispositif d'énergie à plaque de champ inclinée comprend un substrat (11), une couche semi-conductrice multicouche (12) située sur le substrat, une électrode de source (13) et une électrode de drain (14) situées sur la couche semi-conductrice multicouche, une électrode de grille (15) entre l'électrode de source et l'électrode de drain, et une couche diélectrique (16) située sur l'électrode de grille et la couche semi-conductrice multicouche entre l'électrode de source et l'électrode de drain, et il existe une rainure sur la couche diélectrique et la face latérale de la rainure présente un gradient, et une structure de plaque de champ inclinée (17) est située sur la paroi interne de la rainure. Le dispositif d'énergie à plaque de champ inclinée permet évidemment de ne plus générer de forts champs électriques de crête sur la surface du dispositif d'énergie, des zones qui sont sujettes au claquage sont éliminées, les performances tension-résistance du dispositif d'énergie global sont améliorées et les caractéristiques haute fréquence du dispositif d'énergie sont améliorées.
(ZH)一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法。斜场板功率器件包括衬底(11),位于衬底上的多层半导体层(12),位于多层半导体层上的源极(13)、漏极(14)以及位于源极和漏极之间的栅极(15);位于栅极上和栅极与源极和漏极之间的多层半导体层上的介质层(16),介质层上存在凹槽,凹槽的侧面具有倾斜度,位于凹槽内壁上的斜场板结构(17),使得功率器件表面不再产生明显的高尖峰电场,消除了易击穿区域,提高了功率器件整体的耐压性并改善了功率器件的高频特性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)