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1. (WO2016033968) DIODE À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/033968    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/075970
Date de publication : 10.03.2016 Date de dépôt international : 07.04.2015
CIB :
H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : GPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; Room 517B NW-20, 99 Jinji Lake Avenue, Suzhou Industrial Park Suzhou City, Jiangsu 215123 (CN)
Inventeurs : CHEN, Hongwei; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410452104.6 05.09.2014 CN
Titre (EN) FIELD EFFECT DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 场效应二极管及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A field effect diode and a manufacturing method therefor. The field effect diode sequentially comprises a substrate (12), a nucleating layer (13), a back barrier layer (15), a channel layer (16), a first barrier layer (17) and a second barrier layer (18). A groove, an anode and a cathode are formed in the second barrier layer (18). The cathode is an ohmic contact electrode (20). The anode is of a composite structure consisting of an ohmic contact electrode (19) and a schottky electrode (21) that is located in the groove and is connected to the ohmic contact electrode (19) in a short circuit mode. The first barrier layer (17) and the back barrier layer (15) have similar constituent contents, the second barrier layer (18) is different from the first barrier layer (17) in constituent content, and the lattice constant of the second barrier layer (18) is smaller than that of the first barrier layer (17). The field effect diode has small forward conduction voltage drop, small reverse leakage current and large breakdown voltage.
(FR)L'invention concerne une diode à effet de champ et son procédé de fabrication. La diode à effet de champ comprend séquentiellement un substrat (12), une couche de nucléation (13), une couche barrière arrière (15), une couche de canal (16), une première couche barrière (17) et une seconde couche barrière (18). Une rainure, une anode et une cathode sont formées dans la seconde couche barrière (18). La cathode est une électrode de contact ohmique (20). L'anode est dotée d'une structure composite constituée d'une électrode de contact ohmique (19) et d'une électrode Schottky (21) qui est située dans la rainure et est connectée à l'électrode de contact ohmique (19) dans un mode de court-circuit. La première couche barrière (17) et la couche barrière arrière (15) ont des teneurs en constituants similaires, la seconde couche barrière (18) est différente de la première couche barrière (17) dans sa teneur en constituants, et le pas de réseau de la seconde couche barrière (18) est inférieur à celui de la première couche barrière (17). La diode à effet de champ présente une faible chute de tension directe, un faible courant de fuite inverse, et une grande tension de claquage.
(ZH)一种场效应二极管及其制造方法,场效应二极管依次包括:基片(12),成核层(13),背势垒层(15),沟道层(16),第一势垒层(17),第二势垒层(18),第二势垒层(18)上形成有凹槽,阳极和阴极,阴极为欧姆接触电极(20),阳极为复合结构,复合结构由欧姆接触电极(19)、以及位于所述凹槽中且与欧姆接触电极(19)相短接的肖特基电极(21)组成。其中第一势垒层(17)与背势垒层(15)有相近的组分含量,第二势垒层(18)与第一势垒层(17)的组分含量不同,第二势垒层(18)晶格常数比第一势垒层(17)的晶格常数小。这种场效应二极管具有较小的正向导通压降、较小的反向漏电流、及较大的击穿电压。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)