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1. (WO2016033258) SYSTÈME DE CHARGEUR À RÉGIME LENT DE CONVERTISSEUR NVB À CHARGE FICTIVE AUTOMATIQUE INTÉGRÉE UTILISANT UNE PYRO-ÉLECTRICITÉ À MICRO-PUISSANCE À TENSION DE SOUS-SEUIL SI-MOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/033258    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/047063
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 26.08.2015
CIB :
H02J 7/00 (2006.01), H02M 3/08 (2006.01)
Déposants : BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 601 Colorado Street Austin, TX 78701-2982 (US)
Inventeurs : BINZAID, Shuza; (US).
BHALLA, Amar, S.; (US).
GUO, Ruyan; (US).
HASAN, Qumrul; (US)
Mandataire : AGUILERA, Roman; (US)
Données relatives à la priorité :
62/042,212 26.08.2014 US
Titre (EN) NVB TRICKLE-CHARGER SYSTEM WITH BUILT-IN AUTO-DUMMY-LOAD USING SI-MOS-SUB-VTH MICRO-POWER PYROELECTRICITY
(FR) SYSTÈME DE CHARGEUR À RÉGIME LENT DE CONVERTISSEUR NVB À CHARGE FICTIVE AUTOMATIQUE INTÉGRÉE UTILISANT UNE PYRO-ÉLECTRICITÉ À MICRO-PUISSANCE À TENSION DE SOUS-SEUIL SI-MOS
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a device, system, and method for a trickle charging system of non- inductive voltage boost (NVB) converter with built-in auto-dummy-load (ADL) for wide- range of charge storage devices i.e. small button-cell type batteries and super-caps using micro power pyro-electricity at Si-MOS sub-threshold voltage. A VLSI configuration of the system is also disclosed in embodiments. The system converts the pyro-electric material at MOS sub-threshold 0.37V for optimizing to the battery charging level at 1.45V. This system was proven at hardware level and found to be 98.8% power efficient. The designed IC can charge independently without any external components for up to luW max, but able to charge up to 20uA with external components. Thus it is considered to be a very versatile design.
(FR)L'invention concerne un dispositif, un système et un procédé pour un système de charge d'entretien de convertisseur n'induisant pas d'élévation de tension (NVB) avec charge fictive automatique (ADL) intégrée pour une vaste gamme de dispositifs de stockage de charge, à savoir des petites batteries de type pile bouton et des super-capuchons utilisant une pyro-électricité à micro-puissance à une tension de sous-seuil Si-MOS. Des modes de réalisation de l'invention concernent également une configuration VLSI du système. Le système convertit le matériau pyro-électrique au sous-seuil MOS 0,37V afin d'optimiser le niveau de charge de batterie à 1,45V. Ce système a été testé au niveau matériel et a révélé une efficacité énergétique de 98,8%. Le circuit intégré conçu peut charger de manière indépendante, sans aucun composant externe, jusqu'à luW max, mais peut charger jusqu'à 20uA avec des composants externes. Ledit circuit est considéré par conséquent comme une conception très polyvalente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)