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1. (WO2016032779) TRANSISTOR AU NITRURE III À DOPAGE AMÉLIORÉ DANS LA COUCHE DE BASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/032779    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/045360
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 14.08.2015
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, California 90265-4799 (US)
Inventeurs : CHU, Rongming; (US)
Mandataire : GALLENSON, Mavis S.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/471,980 28.08.2014 US
Titre (EN) A III-NITRIDE TRANSISTOR WITH ENHANCED DOPING IN BASE LAYER
(FR) TRANSISTOR AU NITRURE III À DOPAGE AMÉLIORÉ DANS LA COUCHE DE BASE
Abrégé : front page image
(EN)A vertical trench MOSFET comprising: a N-doped substrate of a III-N material; and an epitaxial layer of the III-N material grown on a top surface of the substrate, a N- doped drift region being formed in said epitaxial layer; a P-doped base layer of said III- N material, formed on top of at least a portion of the drift region; a N-doped source region of said III-N material; formed on at least a portion of the base layer; and a gate trench having at least one vertical wall extending along at least a portion of the source region and at least a portion of the base layer; wherein at least a portion of the P-doped base layer along the gate trench is a layer of said P-doped III-N material that additionally comprises a percentage of aluminum.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ MOS (MOSFET) à tranchée verticale, comprenant : un substrat dopé N d'un matériau nitrure du groupe III (III-N) ; et une couche épitaxiale du matériau III-N faite croître sur une surface supérieure du substrat, une zone de migration dopée N étant formée dans ladite couche épitaxiale ; une couche de base dopée P dudit matériau III-N, formée au-dessus d'au moins une partie de la zone de migration ; une zone de source dopée N dudit matériau III-N, formée sur au moins une partie de la couche de base ; et une tranchée de grille comprenant au moins une paroi verticale s'étendant le long d'au moins une partie de la zone de source et d'au moins une partie de la couche de base. Au moins une partie de la couche de base dopée P le long de la tranchée de grille est une couche dudit matériau III-N dopé P qui comprend en outre un pourcentage d'aluminium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)