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1. (WO2016032528) TECHNIQUE DE REMPLISSAGE DE STRUCTURES ÉTROITES À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ COMPORTANT DE MULTIPLES COUCHES DE MÉTAL ET CONFIGURATIONS ASSOCIÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/032528    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/053535
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 29.08.2014
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : STEIGERWALD, Joseph M.; (US).
LINDERT, Nick; (US)
Mandataire : BURRELL, Charles A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TECHNIQUE FOR FILLING HIGH ASPECT RATIO, NARROW STRUCTURES WITH MULTIPLE METAL LAYERS AND ASSOCIATED CONFIGURATIONS
(FR) TECHNIQUE DE REMPLISSAGE DE STRUCTURES ÉTROITES À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ COMPORTANT DE MULTIPLES COUCHES DE MÉTAL ET CONFIGURATIONS ASSOCIÉES
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe techniques for filling a high aspect ratio, narrow structure with multiple metal layers and associated configurations. In one embodiment, an apparatus includes a transistor structure comprising a semiconductor material, a dielectric material having a recess defined over the transistor structure, the recess having a height in a first direction, an electrode terminal disposed in the recess and coupled with the transistor structure, wherein a first portion of the electrode terminal comprises a first metal in direct contact with the transistor structure and a second portion of the electrode terminal comprises a second metal disposed on the first portion and wherein an interface between the first portion and the second portion is planar and extends across the recess in a second direction that is substantially perpendicular to the first direction. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR)Certains modes de réalisation de la présente invention concernent des techniques permettant de remplir de structures étroites à rapport de forme élevé comportant de multiples couches de métal et des configurations associées. Dans un mode de réalisation, un appareil comprend une structure de transistor comprenant un matériau semi-conducteur, un matériau diélectrique ayant un évidement défini sur la structure de transistor, l'évidement ayant une certaine hauteur dans une première direction, une borne d'électrode disposée dans l'évidement et reliée à la structure de transistor, une première partie de la borne d'électrode comprenant un premier métal en contact direct avec la structure de transistor et une seconde partie de la borne d'électrode comprenant un second métal disposé sur la première partie et une interface entre la première partie et la seconde partie étant plane et s'étendant à travers l'évidement dans une seconde direction qui est sensiblement perpendiculaire à la première direction. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)