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1. (WO2016032502) MEMRISTORS À EFFACEMENT RAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/032502    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/053324
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 29.08.2014
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : GE, Ning; (US).
YANG, Jianhua; (US).
ZHANG, Max; (US)
Mandataire : ZHANG, Shu; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FAST ERASING MEMRISTORS
(FR) MEMRISTORS À EFFACEMENT RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)A fast erasing memhstor includes an active region, a resistive heater, and a dielectric sheath. The active region has a switching layer coupled between a first conducting layer and second conducting layer. The resistive heater is coupled to the active region to provide heat to the active region. The dielectric sheath separates the active region and the resistive heater.
(FR)On décrit un memristor à effacement rapide qui comprend une région active, un dispositif de chauffage résistif, et une gaine diélectrique. La région active présente une couche de commutation couplée entre une première couche conductrice et une seconde couche conductrice. Le dispositif de chauffage résistif est couplé à la région active pour la chauffer. La gaine diélectrique sépare la région active et le dispositif de chauffage résistif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)