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1. (WO2016032270) MASQUE DE GRAVURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MEMBRANE POREUSE À L'AIDE D'UN MASQUE DE GRAVURE, MEMBRANE POREUSE, MASQUE DE BLOCAGE DE POUSSIÈRES FINES COMPRENANT UNE MEMBRANE POREUSE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT ACTIF À DIFFUSION DE RAMAN AMÉLIORÉ EN SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/032270    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/009033
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 28.08.2015
CIB :
B01D 69/00 (2006.01), B01D 67/00 (2006.01), B01J 19/00 (2006.01), C08J 9/00 (2006.01)
Déposants : PUSAN NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERRATION FOUNDATION [KR/KR]; 2(JangJeon Dong, Pusan National University),Busandaehak-ro 63beon-gil Geumjeong-gu Busan 46241 (KR)
Inventeurs : YANG, Seung Yun; (KR).
LEE, Seunghyun; (KR)
Mandataire : NAM, Gunpil; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0114033 29.08.2014 KR
10-2014-0114040 29.08.2014 KR
Titre (EN) ETCHING MASK, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, POROUS MEMBRANE MANUFACTURING METHOD USING ETCHING MASK, POROUS MEMBRANE, FINE DUST-BLOCKING MASK INCLUDING POROUS MEMBRANE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SURFACE ENHANCED RAMAN SCATTERING ACTIVE SUBSTRATE
(FR) MASQUE DE GRAVURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MEMBRANE POREUSE À L'AIDE D'UN MASQUE DE GRAVURE, MEMBRANE POREUSE, MASQUE DE BLOCAGE DE POUSSIÈRES FINES COMPRENANT UNE MEMBRANE POREUSE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT ACTIF À DIFFUSION DE RAMAN AMÉLIORÉ EN SURFACE
(KO) 식각용 마스크, 이의 제조 방법, 이를 이용한 다공성 멤브레인의 제조 방법, 다공성 멤브레인, 이를 포함하는 미세먼지 차단용 마스크 및 표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)According to the present invention, in an etching mask, a manufacturing method therefor, a porous membrane manufacturing method, the porous membrane, a fine dust-blocking mask, and a surface enhanced Raman scattering active substrate manufacturing method, the etching mask comprises: an organic film; and a pattern layer arranged on the organic film and having openings formed in the shape of a micro hole or a nano hole and having a uniform size.
(FR)La présente invention concerne un masque de gravure, un procédé de fabrication associé, un procédé de fabrication de membrane poreuse, la membrane poreuse, un masque de blocage des poussières fines et un procédé de fabrication d'un substrat actif à diffusion de Raman amélioré en surface. Le masque de gravure comprend : un film organique ; et des couches de motif disposées sur le film organique et ayant chacune des ouvertures de la forme d'un micro-trou ou d'un nano-trou de taille uniforme.
(KO)본 발명에 따른 식각용 마스크, 이의 제조 방법, 다공성 멤브레인 이의 제조 방법, 다공성 멤브레인, 미세먼지 차단용 마스크 및 표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법에서, 식각용 마스크는 유기막과, 유기막 상에 배치되고, 각각이 마이크로홀 또는 나노홀의 형태의 균일한 크기를 갖는 개구들이 형성된 패턴층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)