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1. WO2016032069 - ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SIC MIS EN ŒUVRE SUR UN SUBSTRAT SIC ISOLANT OU SEMI-ISOLANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2016/032069
Date de publication 03.03.2016
N° de la demande internationale PCT/KR2014/012875
Date du dépôt international 26.12.2014
CIB
H01L 29/16 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
CPC
H01L 29/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
Déposants
  • 한국전기연구원 KOREA ELECTROTECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 김형우 KIM, Hyung Woo
  • 문정현 MOON, Jeong Hyun
  • 방욱 BAHANG, Wook
  • 김남균 KIM, Nam Kyun
Mandataires
  • 특허법인 충정 HWANG MOK PARK IP GROUP
Données relatives à la priorité
10-2014-011300628.08.2014KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) SIC SEMICONDUCTOR ELEMENT IMPLEMENTED ON INSULATING OR SEMI-INSULATING SIC SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SIC MIS EN ŒUVRE SUR UN SUBSTRAT SIC ISOLANT OU SEMI-ISOLANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 절연 또는 반절연 SiC 기판에 구현된 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법
Abrégé
(EN) The present invention relates to a SiC semiconductor element having highly pressure-resistant characteristics and a method for manufacturing the same. The SiC semiconductor element according to the present invention comprises: an insulating or semi-insulating SiC substrate; a plurality of semiconductor areas formed inside the SiC substrate; and electrodes formed on the SiC substrate so as to electrically connect the plurality of semiconductor areas. The SiC element according to the present invention has high-density semiconductor areas formed in an insulating or semi-insulating SiC substrate, thereby exhibiting highly pressure-resistant characteristics, and can be implemented through an ion implantation process.
(FR) La présente invention concerne un élément semi-conducteur au carbure de silicium (SiC) possédant des caractéristiques fortement résistantes à la pression, et son procédé de fabrication. L'élément semi-conducteur SiC selon la présente invention comprend : un substrat SiC isolant ou semi-isolant ; une pluralité de zones semi-conductrices formées à l'intérieur du substrat SiC ; et des électrodes formées sur le substrat SiC de manière à connecter électriquement la pluralité de zones semi-conductrices. L'élément SiC selon la présente invention comporte des zones semi-conductrices à haute densité formées dans un substrat SiC isolant ou semi-isolant, moyennant quoi il possède des caractéristiques fortement résistantes à la pression, et peut être mis en œuvre au moyen d'un processus d'implantation ionique.
(KO) 본 발명은 높은 내압 특성을 갖는 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 SiC 반도체 소자는, 절연 또는 반절연성 SiC 기판; 상기 SiC 기판 내부에 형성된 복수의 반도체 영역들; 및 상기 SiC 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 반도체 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극들을 포함한다. 본 발명에 따른 SiC 소자는 절연 또는 반절연 SiC 기판에 고농도의 반도체 영역을 형성함으로써. 높은 내압 특성을 나타내고, 이온 주입 공정을 통해 구현될 수 있다.
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