(EN) The present invention relates to a SiC semiconductor element having highly pressure-resistant characteristics and a method for manufacturing the same. The SiC semiconductor element according to the present invention comprises: an insulating or semi-insulating SiC substrate; a plurality of semiconductor areas formed inside the SiC substrate; and electrodes formed on the SiC substrate so as to electrically connect the plurality of semiconductor areas. The SiC element according to the present invention has high-density semiconductor areas formed in an insulating or semi-insulating SiC substrate, thereby exhibiting highly pressure-resistant characteristics, and can be implemented through an ion implantation process.
(FR) La présente invention concerne un élément semi-conducteur au carbure de silicium (SiC) possédant des caractéristiques fortement résistantes à la pression, et son procédé de fabrication. L'élément semi-conducteur SiC selon la présente invention comprend : un substrat SiC isolant ou semi-isolant ; une pluralité de zones semi-conductrices formées à l'intérieur du substrat SiC ; et des électrodes formées sur le substrat SiC de manière à connecter électriquement la pluralité de zones semi-conductrices. L'élément SiC selon la présente invention comporte des zones semi-conductrices à haute densité formées dans un substrat SiC isolant ou semi-isolant, moyennant quoi il possède des caractéristiques fortement résistantes à la pression, et peut être mis en œuvre au moyen d'un processus d'implantation ionique.
(KO) 본 발명은 높은 내압 특성을 갖는 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 SiC 반도체 소자는, 절연 또는 반절연성 SiC 기판; 상기 SiC 기판 내부에 형성된 복수의 반도체 영역들; 및 상기 SiC 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 반도체 영역들을 전기적으로 연결하기 위한 전극들을 포함한다. 본 발명에 따른 SiC 소자는 절연 또는 반절연 SiC 기판에 고농도의 반도체 영역을 형성함으로써. 높은 내압 특성을 나타내고, 이온 주입 공정을 통해 구현될 수 있다.