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1. (WO2016031727) PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR LASER DE FILM DE MATÉRIAU ORGANIQUE OU DE FILM DE MATÉRIAU COMPOSITE ORGANIQUE-MINÉRAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/031727    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/073596
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 21.08.2015
CIB :
C23C 14/28 (2006.01), C23C 14/12 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventeurs : MIYADERA Tetsuhiko; (JP).
SUGITA Takeshi; (JP).
MURAKAMI Takurou; (JP).
CHIKAMATSU Masayuki; (JP).
MATSUBARA Koji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-175492 29.08.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR LASER DEPOSITION OF ORGANIC MATERIAL FILM OR ORGANIC-INORGANIC COMPOSITE MATERIAL FILM
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR LASER DE FILM DE MATÉRIAU ORGANIQUE OU DE FILM DE MATÉRIAU COMPOSITE ORGANIQUE-MINÉRAL
(JA) 有機材料膜又は有機無機複合材料膜のレーザー蒸着方法、レーザー蒸着装置
Abrégé : front page image
(EN) The present invention addresses the problem of providing a laser deposition device or a method for laser deposition of an organic material, whereby it is possible to overcome the problems of the prior art, such as contamination of other deposition starting materials by gasification of the organic material and inability to control a film formation rate, and it is possible to stably adjust and control the film formation rate or an evaporation rate, and the present invention is a method for laser deposition of at least one type of organic material, wherein the method is characterized by comprising adjusting the duty ratio of a laser for vaporizing the organic material. The method is also characterized by comprising adjusting the duty ratio on the basis of the evaporation rate of the organic substance or the vapor pressure inside a vacuum chamber for deposition.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de dépôt par laser ou un procédé de dépôt par laser d'un matériau organique, grâce auquel il est possible de résoudre les problèmes de l'état de la technique, tels que la contamination par d'autres matériaux de départ de dépôt par gazéification du matériau organique et l'incapacité à réguler la vitesse de formation du film, et il est possible de régler de façon stable et de réguler la vitesse de formation du film ou un taux d'évaporation. La présente invention est un procédé de dépôt par laser d'au moins un type de matériau organique, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à régler le rapport cyclique d'un laser pour vaporiser le matériau organique. Le procédé est également caractérisé en ce qu'il consiste à régler le rapport cyclique sur la base de la vitesse d'évaporation de la substance organique ou de la pression de vapeur à l'intérieur d'une chambre de dépôt sous vide.
(JA) 有機材料のガス化によって他の蒸着用原料が汚染されたり、成膜速度が制御できず暴走する等の従来技術における問題点を解決し、成膜速度や蒸発速度を安定的に調整、制御することのできる有機材料のレーザー蒸着方法やレーザー蒸着装置を提供することを課題とするものであり、少なくとも1種類の有機材料をレーザー蒸着する方法において、該有機材料を蒸発させるレーザーのデューティ比を調整することを特徴とする。また、前記有機物の蒸発速度や蒸着用真空チャンバー内の蒸気圧に基づいて前記デューティ比を調整することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)