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1. (WO2016031599) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE, ET SYSTÈME DE CAPTURE D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/031599    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/072956
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 14.08.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), G01T 1/20 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/08 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Yasuhiro; (JP)
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-172424 27.08.2014 JP
Titre (EN) RADIATION DETECTOR, IMAGE-CAPTURING DEVICE, AND IMAGE-CAPTURING SYSTEM
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE, ET SYSTÈME DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 放射線検出器、撮像装置、および撮像システム
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a radiation detector in which the occurrence of a residual image caused by charge traps can be suppressed at low power consumption and also provides an image-capturing device and an image-capturing system equipped with the radiation detector. The radiation detector (1) of an embodiment of the present technique is equipped with a plurality of pixels (Px1) and a scintillator layer (20). Each of the pixels includes a photoelectric conversion element (13) and a field effect transistor (12) electrically connected to the photoelectric conversion element. The photoelectric conversion element is formed by stacking a first conductive type semiconductor layer (13A) as a lower electrode, an i-type semiconductor layer (13B), a second conductive type semiconductor layer (13C), and a light transmitting electrode (13D) as an upper electrode in this order.
(FR)La présente invention porte sur un détecteur de rayonnement dans lequel l'apparition d'une image résiduelle provoquée par des pièges de charges peut être supprimée à faible consommation d'énergie et porte également sur un dispositif de capture d'image et un système de capture d'image équipés du détecteur de rayonnement. Le détecteur de rayonnement (1) d'un mode de réalisation de la présente invention est équipé d'une pluralité de pixels (Px1) et d'une couche de scintillateur (20). Chacun des pixels comprend un élément de conversion photoélectrique (13) et un transistor à effet de champ (12) connecté électriquement à l'élément de conversion photoélectrique. L'élément de conversion photoélectrique est formé par empilement d'une couche de semi-conducteur de premier type de conductivité (13A) en tant qu'électrode inférieure, d'une couche de semi-conducteur de type i (13B), d'une couche de semi-conducteur de second type de conductivité (13C), et d'une électrode électroluminescente (13D) en tant qu'électrode supérieure dans cet ordre.
(JA)本発明は、電荷のトラップに起因して発生する残像の抑制を低消費電力で行うことの可能な放射線検出器、ならびにそのような放射線検出器を備えた撮像装置および撮像システムを提供する。 本技術の一実施の形態の放射線検出器(1)は、複数の画素(Px1)およびシンチレータ層(20)を備えている。各画素は、光電変換素子(13)と、光電変換素子に電気的に接続された電界効果型のトランジスタ(12)とを含んでいる。光電変換素子は、下部電極としての第1導電型半導体層(13A)と、i型半導体層(13B)と、第2導電型半導体層(13C)と、上部電極としての光透過電極(13D)とをこの順に積層して構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)