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1. (WO2016031522) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI

Pub. No.:    WO/2016/031522    International Application No.:    PCT/JP2015/072432
Publication Date: 3 mars 2016 International Filing Date: 6 août 2015
IPC: H01L 21/338
H01L 21/20
H01L 21/336
H01L 21/425
H01L 29/24
H01L 29/786
H01L 29/812
Applicants: TAMURA CORPORATION
株式会社タムラ製作所
NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATIONS TECHNOLOGY
国立研究開発法人情報通信研究機構
Inventors: SASAKI, Kohei
佐々木 公平
HIGASHIWAKI, Masataka
東脇 正高
WONG, Man Hoi
ワン マン ホイ
Title: ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract:
L'invention fournit un élément à semi-conducteurs et un procédé de fabrication de celui-ci qui permettent une simplification du processus de fabrication ainsi qu'une réduction de coût de fabrication. L'élément à semi-conducteurs (10) est équipé : d'un substrat à résistance élevée (11) constitué de monocristaux à base de β-Ga2O3 contenant des impuretés de type accepteur ; d'une couche de monocristaux à base de β-Ga2O3 non dopée (12) formée sur le substrat à résistance élevée (11) ; et d'une couche de canal de type n (13) dont les faces latérales sont entourée par la couche de monocristaux à base de β-Ga2O3 non dopée (12). La couche de monocristaux à base de β-Ga2O3 non dopée (12) constitue une région de séparation d'élément.