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1. (WO2016030974) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/030974    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/072354
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 27.08.2014
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G06F 12/02 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : MIURA Seiji; (JP)
Mandataire : TODA Yuji; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a non-volatile memory unit containing chain memory arrays (CY); and a control circuit for controlling access to the non-volatile memory unit. The control circuit treats chain memory arrays (CYL) arranged adjacent to each other as a write area (WT-AREA) while treating a chain memory array (CYH) arranged adjacent to the outer periphery of the write area as a heat-shielding area (WALL), and functions so as to reduce the influence of heat disturbance. Also, the control circuit subjects externally input first data to a first computation and generates a method for restoring the first data, without writing the first data into the write area. Consequently, this allows for the provision of a low-cost and highly reliable memory module having a heat-shielding area while also being capable of effectively holding data in the same amount as the combined capacity of the write area and heat-shielding area.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une unité de mémoire non volatile contenant des barrettes mémoire en chaîne (CY); et un circuit de commande destiné à commander l'accès à l'unité de mémoire non volatile. Le circuit de commande traite des barrettes mémoire en chaîne (CYL) agencées de manière adjacente les unes par rapport aux autres en tant que zone d'écriture (ZONE WT) tout en traitant une barrette mémoire en chaîne (CYH) agencée de manière adjacente à la périphérie externe de la zone d'écriture en tant que zone de protection thermique (PAROI), et fonctionne de sorte à réduire l'influence de la perturbation thermique. De même, le circuit de commande soumet des premières données entrées de manière externe à un premier calcul et génère un procédé permettant de restaurer les premières données sans avoir à écrire les premières données dans la zone d'écriture. Par conséquent, ceci permet la fourniture d'un module de mémoire à bas coût et très fiable comportant une zone de protection contre la chaleur tout en pouvant conserver de manière efficace des données selon la même quantité que la capacité combinée de la zone d'écriture et de la zone de protection contre la chaleur.
(JA)半導体装置は、チェインメモリアレイCYを含む不揮発性メモリ部と、不揮発性メモリ部へのアクセスを制御する制御回路とを備える。制御回路は、互いに隣接して配置されるチェインメモリアレイCYLを書込み領域(WT-AREA)とし、書込み領域の外周に隣接して配置されるチェインメモリアレイCYHを熱遮蔽領域(WALL)とし、熱ディスターブの影響を低減する様に機能し、また、外部から入力された第1データへ第1演算を行い、第1データの復元方法を生成することで、第1データを書込み領域へ書き込まない。そのため、熱遮蔽領域を存在させた上で、実効的に書込み領域と熱遮蔽領域とを合わせた容量のデータを保持でき、低コスト且つ高信頼なメモリモジュールを提供できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)