WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016030801) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/030801    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/056336
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 21.08.2015
CIB :
H04N 5/365 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : INOUE, Hiroki; (JP).
KUROKAWA, Yoshiyuki; .
IKEDA, Takayuki; .
OKAMOTO, Yuki;
Données relatives à la priorité :
2014-176012 29.08.2014 JP
2015-009962 22.01.2015 JP
Titre (EN) IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An imaging device capable of obtaining high-quality imaging data is provided. The imaging device includes a first circuit and a second circuit. The first circuit includes a photoelectric conversion element, a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a fifth transistor, a sixth transistor, a seventh transistor, a first capacitor, a second capacitor, and a third capacitor. The second circuit includes an eighth transistor. Variation in threshold voltage of an amplifier transistor (the fifth transistor) included in the first circuit can be compensated.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie pouvant obtenir des données d'imagerie de haute qualité. Ledit dispositif comporte un premier circuit et un second circuit. Le premier circuit comporte un élément de conversion photoélectrique, un premier transistor, un deuxième transistor, un troisième transistor, un quatrième transistor, un cinquième transistor, un sixième transistor, un septième transistor, un premier condensateur, un second condensateur, et un troisième condensateur. Le second circuit comporte un huitième transistor. La variation de la tension de seuil d'un transistor amplificateur (le cinquième transistor) compris dans le premier circuit peut être compensée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)