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1. (WO2016029357) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MEMBRANE BIMORPHE THERMIQUE ET HAUT-PARLEUR MEMS MUNI DE BIMORPHES THERMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/029357    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/085204
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 26.08.2014
CIB :
H04R 31/00 (2006.01), H04R 7/00 (2006.01), H04R 7/06 (2006.01), H04R 9/06 (2006.01)
Déposants : GOERTEK INC. [CN/CN]; No.268 Dongfang Road, Hi-tech Industry Development District Weifang, Shandong 261031 (CN)
Inventeurs : ZOU, Quanbo; (CN).
WANG, Zhe; (CN).
TAO, Jifang; (CN).
QIU, Guanxun; (CN)
Mandataire : BEIJING GRANDER IP LAW FIRM; Room 18A6, East wing, Hanwei plaza, No.7 Guanghua Road, Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THERMAL BIMORPH DIAPHRAGM AND MEMS SPEAKER WITH THERMAL BIMORPHS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MEMBRANE BIMORPHE THERMIQUE ET HAUT-PARLEUR MEMS MUNI DE BIMORPHES THERMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Providing a method for manufacturing a thermal bimorph diaphragm and a MEMS speaker with thermal bimorphs, wherein the method comprises the steps of: thermally oxidizing a substrate (1) to obtain an insulating layer (2) thereon and providing a metal layer (3) on the insulating layer (2); providing a sacrificial layer (4) on the metal layer (3); providing a first thermal bimorph layer (5) on the sacrificial layer (4); providing a second thermal bimorph layer (6) on the first thermal bimorph layer (5); providing a metal connecting layer (7) at the positions on the metal layer (3) where the sacrificial layer (4) is not provided; forming corresponding back holes (16) on the substrate (1) and the insulating layer (2) and releasing the sacrificial layer (4); forming a warped thermal bimorph diaphragm with the first thermal bimorph layer (5) and the second thermal bimorph layer (6) after the sacrificial layer (4) is released. With the MEMS speaker with thermal bimorphs, the problems of high production cost, complicated wafer process and limitations on sound performance improvements are solved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une membrane bimorphe thermique et haut-parleur MEMS muni de bimorphes thermiques. Le procédé comprend les étapes suivantes : oxydation thermique d'un substrat (1) pour obtenir une couche isolante (2) sur celui-ci production d'une couche métallique (3) sur la couche isolante (2) ; production d'une couche sacrificielle (4) sur la couche métallique (3) ; production d'une première couche bimorphe thermique (5) sur la couche sacrificielle (4) ; production d'une deuxième couche bimorphe thermique (6) sur la première couche bimorphe thermique (5) ; production d'une couche de connexion métallique (7) aux positions sur la couche métallique (3) où la couche sacrificielle (4) n'est pas produite ; formation de trous arrière (16) correspondants sur le substrat (1) et la couche isolante (2) et élimination de la couche sacrificielle (4) ; formation d'une membrane bimorphe thermique gauchie avec la première couche thermique bimorphe (5) et la deuxième couche thermique bimorphe (6) après l'élimination de la couche sacrificielle (4). Le haut-parleur MEMS muni de bimorphes thermiques selon l'invention permet de résoudre les problèmes de coût de production élevé, de traitement compliqué des galettes et des limitations des améliorations des performances sonores.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)