WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016029341) APPAREILS ET PROCÉDÉS PERMETTANT UNE MISE EN MÉMOIRE TAMPON D'UNE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/029341    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/085093
Date de publication : 03.03.2016 Date de dépôt international : 25.08.2014
CIB :
H03F 3/16 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, P.o.box 6, Boise, Idaho 83716-9632 (US).
CHU, Weilu [CN/CN]; (CN) (UG only)
Inventeurs : CHU, Weilu; (CN)
Mandataire : LEE AND LI-LEAVEN IPR AGENCY LTD.; Unit 2202, Tower A, Beijing Marriott Center No.7 Jian Guo Men South Avenue Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUSES AND METHODS FOR VOLTAGE BUFFERING
(FR) APPAREILS ET PROCÉDÉS PERMETTANT UNE MISE EN MÉMOIRE TAMPON D'UNE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)An apparatuses and methods for buffering a voltage from a circuit without current drive ability are described. An example apparatus includes a voltage buffer that includes two identical stages. The first stage is configured to receive an input voltage and produce an intermediate voltage as an output. The second stage is configured to receive the intermediate voltage and provide an output voltage that is equal to the input voltage. The voltage buffer may be coupled to a current source. The second stage of the voltage buffer may have current drive ability.
(FR)L'invention concerne des appareils et des procédés permettant de mettre en mémoire tampon une tension provenant d'un circuit sans capacité de génération de courant. Un appareil donné à titre d'exemple comprend un tampon de tension qui comprend deux étages identiques. Le premier étage est configuré de sorte à recevoir une tension d'entrée et à produire une tension intermédiaire en tant que sortie. Le second étage est configuré de sorte à recevoir la tension intermédiaire et à fournir une tension de sortie qui est égale à la tension d'entrée. Le tampon de tension peut être couplé à une source de courant. Le second étage du tampon de tension peut présenter une capacité de génération de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)