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1. (WO2016014845) PHOTODÉTECTEURS HYBRIDES PÉROVSKITES TRAITÉS EN SOLUTION ULTRASENSIBLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/014845    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/041820
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 23.07.2015
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/0725 (2012.01), H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF AKRON [US/US]; 302 Buchtel Common Akron, Ohio 44325 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
GONG, Xiong [US/US]; (US) (US only).
HU, Xiaowen [CN/US]; (US) (US only).
DU, Pengcheng [CN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : GONG, Xiong; (US).
HU, Xiaowen; (US).
DU, Pengcheng; (US)
Mandataire : HODGKISS, Timothy A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/027,825 23.07.2014 US
Titre (EN) ULTRASENSITIVE SOLUTION-PROCESSED PEROVSKITE HYBRID PHOTODETECTORS
(FR) PHOTODÉTECTEURS HYBRIDES PÉROVSKITES TRAITÉS EN SOLUTION ULTRASENSIBLES
Abrégé : front page image
(EN)A photodetector utilizing a perovskite active layer is formed using a spin-coating process, whereby in one spin-coating process, a spin-time that remains constant while the acceleration-time is adjusted; and, in another spin-coating process, a spin-time is adjusted, while an acceleration-time is kept constant. Thus, the spin-coating method of the present invention allows the formation of perovskite thin films for photodetector devices, which are uniform and have high surface coverage. In addition, such perovskite thin films have optimized crystallization morphology, which possesses superior optical and electrical properties, which is desirable for photodetector devices.
(FR)L'invention concerne un photodétecteur utilisant une couche active de pérovskite, qui est formé au moyen d'un processus de dépôt à la tournette, moyennant quoi, dans un processus de dépôt à la tournette, un temps de rotation reste constant tandis qu'un temps d'accélération est réglé ; et dans un autre processus de dépôt à la tournette, un temps de rotation est réglé, tandis qu'un temps d'accélération est maintenu constant. Ainsi, le procédé de dépôt à la tournette de la présente invention permet la formation de films minces de pérovskite pour dispositifs photodétecteurs, qui sont uniformes et ont une couverture de surface élevée. En outre, de tels films minces de pérovskite présentent une morphologie de cristallisation optimisée, qui possède d'excellentes propriétés optiques et électriques, ce qui est souhaitable pour des dispositifs photodétecteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)