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1. (WO2016014559) ATTÉNUATION D'ÉLECTROMIGRATION, EFFETS D'APPEL DE COURANT, CHUTE DE TENSION OHMIQUE, ET GIGUE PAR INSERTION DE MATRICE DE RUBANS MÉTALLIQUES ET DE TROUS D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/014559    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/041371
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 21.07.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.12.2015    
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 23/482 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H03K 17/16 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LIU, Chun-Chen; (US).
LU, Ju-Yi; (US).
XIE, Shengqiong; (US)
Mandataire : LOZA, Julio; (US)
Données relatives à la priorité :
14/340,381 24.07.2014 US
Titre (EN) MITIGATING ELECTROMIGRATION, IN-RUSH CURRENT EFFECTS, IR-VOLTAGE DROP, AND JITTER THROUGH METAL LINE AND VIA MATRIX INSERTION
(FR) ATTÉNUATION D'ÉLECTROMIGRATION, EFFETS D'APPEL DE COURANT, CHUTE DE TENSION OHMIQUE, ET GIGUE PAR INSERTION DE MATRICE DE RUBANS MÉTALLIQUES ET DE TROUS D'INTERCONNEXION
Abrégé : front page image
(EN)Integrated circuits and methods of manufacturing such circuits are disclosed herein that feature metal line-via matrix insertion after place and route processes are performed and/or completed for the integrated circuit's layout. The metal line-via matrix consists of one or more additional metal lines and one or more additional vias that are inserted into the integrated circuit's layout at a specific point to lower the current and current density through a first conductive path that has been determined to suffer from electromigration, IR-voltage drop, and/or jitter. Specifically, the metal line-via matrix provides one or more auxiliary conductive paths to divert and carry a portion of the current that would otherwise flow through the first conductive path. This mitigates electromigration issues and IR-voltage drop along the first conductive path. It may also help alleviate problems due to jitter along the path.
(FR)L'invention concerne des circuits intégrés et des procédés de fabrication de ces circuits, qui sont caractérisés par l'insertion de matrice de rubans métalliques-trous d'interconnexion après réalisation et/ou achèvement des processus de placement et de tracé pour l'implantation du circuit intégré. La matrice de rubans métalliques-trous d'interconnexion est constituée d'un ou plusieurs rubans métalliques supplémentaires et d'un ou plusieurs trous d'interconnexions supplémentaires qui sont insérés dans l'implantation du circuit intégré à un point spécifique pour diminuer le courant et la densité de courant dans un premier chemin conducteur dont il a été constaté qu'il subissait une électromigration, une chute de tension ohmique et/ou une gigue. Spécifiquement, la matrice de rubans métalliques-trous d'interconnexion forme un ou plusieurs chemins conducteurs auxiliaires pour dévier et transporter une partie du courant qui sinon s'écoulerait par le premier chemin conducteur. Ceci atténue les problèmes d'électromigration et de chute de tension ohmique le long du premier chemin conducteur. Ceci peut également contribuer à atténuer les problèmes liés à la gigue le long du trajet.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)