WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016014326) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE À JTM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/014326    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/040700
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 16.07.2015
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : SPIN TRANSFER TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 45500 Northport Loop West Fremont, California 94538 (US)
Inventeurs : PINARBASI, Mustafa; (US)
Mandataire : MILLER, Jeffrey A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/341,185 25.07.2014 US
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MTJ MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE À JTM
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing MTJ pillars for a MTJ memory device. The method includes depositing multiple MTJ layers on a substrate, depositing a hard mask on the substrate and coating a photoresist on the hard mask. Further, alternating steps of reactive ion etching and ion beam etching are performed to isolate MTJ pillars and expose side surfaces of the MTJ layers. An insulating layer is the applied to protect the side surfaces of the MTJ layers. A second insulating layer is deposited before the device is planarized using chemical mechanical polishing.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de piliers à JTM (jonction tunnel magnétique) pour un dispositif de mémoire à JTM. Le procédé comprend le dépôt de multiples couches à JTM sur un substrat, le dépôt d'un masque dur sur le substrat et le revêtement d'une photorésine sur le masque dur. En outre, des étapes alternées de gravure ionique réactive et de gravure par faisceau ionique sont effectuées pour isoler des piliers à JTM et exposer des surfaces latérales des couches à JTM. Une couche isolante est appliquée pour protéger les surfaces latérales des couches à JTM. Une seconde couche isolante est déposée avant que le dispositif soit planarisé à l'aide d'un polissage chimico-mécanique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)