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1. (WO2016014318) CAPTEUR D'IMAGERIE CCD OU CMOS À BOMBARDEMENT D'ÉLECTRONS À HAUT RENDEMENT QUANTIQUE ET À HAUTE RÉSOLUTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/014318 N° de la demande internationale : PCT/US2015/040618
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 15.07.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
JIANG, Ximan; US
BIELLAK, Stephen; US
FIELDEN, John; US
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
Données relatives à la priorité :
14/614,08804.02.2015US
62/027,67922.07.2014US
Titre (EN) HIGH RESOLUTION HIGH QUANTUM EFFICIENCY ELECTRON BOMBARDED CCD OR CMOS IMAGING SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGERIE CCD OU CMOS À BOMBARDEMENT D'ÉLECTRONS À HAUT RENDEMENT QUANTIQUE ET À HAUTE RÉSOLUTION
Abrégé :
(EN) An electron-bombarded detector for detecting low light signals includes a vacuum tube structure defining a cylindrical vacuum tube chamber, a photocathode disposed at a first end of the vacuum tube chamber, a sensor disposed at a second end of the vacuum tube chamber, ring electrodes disposed in the vacuum tube chamber for generating an electric field that accelerates emitted photoelectrons toward the sensor, and a magnetic field generator configured to generate a symmetric magnetic field that applies a focusing lens effect on the photoelectrons. The ring electrodes and magnetic field generator are operating using one of a reduced distance focusing approach and an acceleration/deceleration approach such that the photoelectrons have a landing energy below 2keV. The use of reflective mode photocathodes is enabled using either multi-pole deflector coils, or ring electrodes formed by segmented circular electrode structures. Large angle deflections are achieved using magnetic or electrostatic deflectors.
(FR) La présente invention concerne un détecteur à bombardement d'électrons destiné à détecter des signaux de lumière faible, qui comprend une structure de tube à vide définissant une chambre de tube à vide cylindrique ; une photocathode disposée au niveau d'une première extrémité de la chambre de tube à vide ; un capteur disposé au niveau d'une seconde extrémité de la chambre de tube à vide ; des électrodes annulaires disposées dans la chambre de tube à vide afin de générer un champ électrique qui accélère des photoélectrons émis vers le capteur ; et un générateur de champ magnétique conçu de façon à générer un champ magnétique symétrique qui applique un effet de lentille de mise au point sur les photoélectrons. Les électrodes annulaires et le générateur de champ magnétique fonctionnent à l'aide d'une approche parmi une approche de mise au point à distance réduite et une approche d'accélération/de décélération, de sorte que les photoélectrons aient une énergie d'impact au-dessous de 2 keV. L'utilisation de photocathodes en mode réfléchissant est permise à l'aide soit de bobines de déflecteur multipolaire soit d'électrodes annulaires formées par des structures d'électrodes circulaires segmentées. De grands angles de déflexion sont obtenus à l'aide de déflecteurs électrostatiques ou magnétiques.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)