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1. (WO2016014176) CIRCUIT OSCILLATEUR À QUARTZ DIFFÉRENTIEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/014176    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/036055
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 16.06.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.05.2016    
CIB :
H03B 5/36 (2006.01), H03B 5/06 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : RAJAVI, Yashar; (US).
KAVOUSIAN, Amirpouya; (US).
KHALILI, Alireza; (US).
VAHID FAR, Mohammad Bagher; (US).
KOMIJANI, Abbas; (US)
Mandataire : LEE, Samuel S.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/338,241 22.07.2014 US
Titre (EN) DIFFERENTIAL CRYSTAL OSCILLATOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT OSCILLATEUR À QUARTZ DIFFÉRENTIEL
Abrégé : front page image
(EN)A differential crystal oscillator circuit, including: first and second output terminals; a cross-coupled oscillation unit including first and second transistors cross-coupled to the first and second output terminals; first and second metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) diodes, each MOSFET diode including a resistor connected between gate and drain terminals, wherein the first MOSFET diode couples to the first transistor to provide low-impedance load at low frequencies and high-impedance load at higher frequencies to the first transistor, wherein the second MOSFET diode couples to the second transistor to provide low-impedance load at low frequencies and high-impedance load at higher frequencies to the second transistor; and a reference resonator coupled between the first and second output terminals to establish an oscillation frequency.
(FR)L'invention concerne un circuit oscillateur à quartz différentiel, comprenant : des première et seconde bornes de sortie ; une unité d'oscillation à couplage transversal comprenant des premier et second transistors couplés transversalement aux première et seconde bornes de sortie ; des première et seconde diodes de transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET), chaque diode MOSFET comprenant une résistance connectée entre des bornes de grille et de drain, la première diode MOSFET étant couplée au premier transistor pour fournir une charge à faible impédance à des fréquences basses et une charge à impédance élevée à des fréquences plus élevées au premier transistor, la seconde diode MOSFET étant couplée au second transistor pour fournir une charge à faible impédance à des fréquences basses et une charge à impédance élevée à des fréquences plus élevées au second transistor ; et un résonateur de référence couplé entre les première et seconde bornes de sortie pour établir une fréquence d'oscillation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)