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1. (WO2016014164) RÉGULATEUR DE LIGNES DE BITS POUR SYSTÈME DE MÉMOIRE FLASH ULTRA-RAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/014164    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/035214
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 10.06.2015
CIB :
G11C 7/10 (2006.01), G11C 7/12 (2006.01), G11C 16/24 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01), G11C 7/04 (2006.01), G11C 29/02 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : QIAN, Xiaozhou; (CN).
ZHOU, Yao; (CN).
SHENG, Bin; (CN).
PENG, Jiaxu; (CN).
ZHU, Yaohua; (CN)
Mandataire : YAMASHITA, Brent; (US)
Données relatives à la priorité :
201410429526.1 22.07.2014 CN
14/486,673 15.09.2014 US
Titre (EN) BITLINE REGULATOR FOR HIGH SPEED FLASH MEMORY SYSTEM
(FR) RÉGULATEUR DE LIGNES DE BITS POUR SYSTÈME DE MÉMOIRE FLASH ULTRA-RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)A bitline regulator for use in a high speed flash memory system is disclosed. The bitline regulator is responsive to a set of trim bits that are generated by comparing the bias voltage of a bitline to a reference voltage.
(FR)L'invention concerne un régulateur de lignes de bits destiné à être utilisé dans un système de mémoire flash ultra-rapide. Le régulateur de lignes de bits est sensible à un ensemble de bits de compensation qui sont générés par comparaison de la tension de polarisation d'une ligne de bits à une tension de référence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)