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1. (WO2016014136) CONDITIONNEMENT DE SOURCE DE PLASMA À DISTANCE POUR DES PERFORMANCES AMÉLIORÉES AYANT DES VITESSES DE GRAVURE ET DE DÉPÔT RÉPÉTABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/014136    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/028352
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 29.04.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : KHAJA, Abdul Aziz; (US).
AYOUB, Mohamad; (US).
PINSON, Jay, D., II; (US).
ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
62/027,051 21.07.2014 US
14/694,676 23.04.2015 US
Titre (EN) CONDITIONING REMOTE PLASMA SOURCE FOR ENHANCED PERFORMANCE HAVING REPEATABLE ETCH AND DEPOSITION RATES
(FR) CONDITIONNEMENT DE SOURCE DE PLASMA À DISTANCE POUR DES PERFORMANCES AMÉLIORÉES AYANT DES VITESSES DE GRAVURE ET DE DÉPÔT RÉPÉTABLES
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for conditioning an interior wall surface of a remote plasma generator. In one embodiment, a method for processing a substrate is provided. The method includes exposing an interior wall surface of a remote plasma source to a conditioning gas that is in excited state to passivate the interior wall surface of the remote plasma source, wherein the remote plasma source is coupled through a conduit to a processing chamber in which a substrate is disposed, and the conditioning gas comprises an oxygen-containing gas, a nitrogen-containing gas, or a combination thereof. The method has been observed to be able to improve dissociation/recombination rate and plasma coupling efficiency in the processing chamber, and therefore provides repeatable and stable plasma source performance from wafer to wafer.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention portent d'une manière générale sur des procédés de conditionnement d'une surface de paroi intérieure d'un générateur de plasma à distance. Dans un mode de réalisation, un procédé de traitement d'un substrat est décrit. Le procédé consiste à exposer une surface de paroi intérieure d'une source de plasma à distance à un gaz de conditionnement qui est dans un état excité pour passiver la surface de paroi intérieure de la source de plasma à distance, la source de plasma à distance étant couplée par l'intermédiaire d'un conduit à une chambre de traitement dans laquelle un substrat est disposé, et le gaz de conditionnement comprenant un gaz contenant de l'oxygène, un gaz contenant de l'azote, ou une combinaison des deux. On a observé que le procédé permettait d'améliorer la vitesse de dissociation/recombinaison et l'efficacité de couplage du plasma dans la chambre de traitement, et qu'il assurait en conséquence des performances répétables et stables de la source de plasma d'une tranche à l'autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)