WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016013954) PHOTOCONVERTISSEUR EN CASCADE À STRUCTURES DE DIMENSIONS DE L'ORDRE QUANTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013954    N° de la demande internationale :    PCT/RU2014/000564
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 25.07.2014
CIB :
H01L 31/076 (2012.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : LIMITED LIABILITY COMPANY "SOLAR DOTS" [RU/RU]; ul. Polytekhnicheskaya, 26 St.Petersburg, 194021 (RU)
Inventeurs : NADTOCHY, Alexey Mikhailovich; (RU).
MAXIMOV, Mikhail Victorovich; (RU).
ZHUKOV, Alexey Evgenievich; (RU).
KALYUZHNY, Nikolay Aleksandrovich; (RU).
MINTAIROV, Sergey Aleksandrovich; (RU)
Mandataire : KOTLOV, Dmitriy Vladimirovich; LLC "Intellectual Property Center "Skolkovo" ul. Lugovaya, d. 4, office 402.1 territory of innovation center "Skolkovo" Moscow, 143026 (RU)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CASCADE PHOTOCONVERTER WITH QUANTUM-SIZED STRUCTURES
(FR) PHOTOCONVERTISSEUR EN CASCADE À STRUCTURES DE DIMENSIONS DE L'ORDRE QUANTIQUE
(RU) КАСКАДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С КВАНТОВОРАЗМЕРНЫМИ СТРУКТУРАМИ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to semiconductor photo-converters (solar cells) which convert the energy of photons of light into electricity, and can be used in the semiconductor industry for creating systems for generating electrical energy. The essence of the proposed invention consists in increasing the photocurrent of two sub-cells by means of using active semiconductor layers consisting of regions having various thicknesses and concentrations of indium atoms. The technical result of the present solution consists in creating a cascade photoconverter which allows for simultaneously expanding the spectral range of photosensitivity and for improving the efficiency thereof.
(FR)L'invention concerne des photo-convertisseurs semi-conducteurs (piles solaires) qui convertissent l'énergie des photos en énergie électrique et peut s'utiliser en industrie de semi-conducteurs pour former des systèmes de génération d'énergie électrique. L'essence de l'invention consiste en une augmentation du courant photoélectrique de deux sous-éléments grâce à l'utilisation de couches semi-conductrices actives constituées de régions possédant des épaisseurs et des concentrations d'indium différentes. Le résultat technique consiste à créer un photo-convertisseur en cascade permettant à la fois d'élargir la gamme spectrale de photosensibilité et l'obtention d'une valeur plus élevée de son coefficient de rendement.
(RU)Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям (солнечным элементам), которые преобразуют энергию фотонов света в электроэнергию, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Сутью предлагаемого изобретения является повышение фототока двух субэлементов за счет использования активных полупроводниковых слоев, состоящих из областей с различными толщиной и концентрацией атомов индия. Техническим результатом настоящего решения является создание каскадного фотопреобразователя, обеспечивающего возможность одновременного расширения спектрального диапазона фоточувствительности и достижение повышенного значения его КПД.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)