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1. (WO2016013766) CAPTEUR D'IMAGE ADOPTANT UN SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE P ET PHOTOCAPTEUR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/013766 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/006168
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 18.06.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/47 (2006.01)
Déposants : SILICON DISPLAY TECHNOLOGY[KR/KR]; 8, Tapsil-ro 58beon-gil, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 17084, KR
Inventeurs : HUR, Ji Ho; KR
HAN, Song I; KR
Mandataire : YOU ME PATENT AND LAW FIRM; KR
Données relatives à la priorité :
10-2014-009197521.07.2014KR
Titre (EN) IMAGE SENSOR ADOPTING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR AND ORGANIC PHOTOSENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE ADOPTANT UN SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE P ET PHOTOCAPTEUR ORGANIQUE
(KO) P형 산화물 반도체와 유기물 광 센서가 적용된 이미지 센서
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to an image sensor adopting a p-type oxide semiconductor and an organic photosensor, comprising: a thin film transistor formed on a substrate; an n-type oxide semiconductor connected to a data electrode of the thin film transistor; a p-type oxide semiconductor formed on the n-type oxide semiconductor; an organic photosensor unit formed on the p-type oxide semiconductor; and an electrode formed on the organic photosensor unit.
(FR) La présente invention concerne un capteur d'image adoptant un semi-conducteur à oxyde de type P et un photocapteur organique, comprenant : un transistor à couches minces formé sur un substrat; un semi-conducteur à oxyde de type N connecté à une électrode de données du transistor à couches minces; un semi-conducteur à oxyde de type P formé sur le semi-conducteur à oxyde de type N; une unité de photocapteur organique formée sur le semi-conducteur à oxyde de type P; et une électrode formée sur l'unité de photocapteur organique.
(KO) 본 발명은 p형 산화물 반도체와 유기물 광 센서가 적용된 이미지 센서에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터의 데이터 전극과 접속되는 n형 산화물 반도체; 상기 n형 산화물 반도체 상에 형성되는 p형 산화물 반도체; 상기 p형 산화물 반도체 상에 형성되는 유기물 광 센서부; 및 상기 유기물 광 센서부 상에 형성되는 전극;을 포함하여 구성된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)