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1. (WO2016013588) DIAMANT MONOCRISTALLIN ET PROCÉDÉ PERMETTANT SA FABRICATION, OUTILS COMPRENANT DU DIAMANT MONOCRISTALLIN ET ÉLÉMENT COMPRENANT DU DIAMANT MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013588    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070860
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 22.07.2015
CIB :
C30B 29/04 (2006.01), B23B 27/14 (2006.01), B23B 27/20 (2006.01), B24B 53/047 (2006.01), C01B 31/06 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : TATSUMI, Natsuo; (JP).
NISHIBAYASHI, Yoshiki; (JP).
SUMIYA, Hitoshi; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-148857 22.07.2014 JP
Titre (EN) SINGLE-CRYSTAL DIAMOND AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, TOOL INCLUDING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, AND COMPONENT INCLUDING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND
(FR) DIAMANT MONOCRISTALLIN ET PROCÉDÉ PERMETTANT SA FABRICATION, OUTILS COMPRENANT DU DIAMANT MONOCRISTALLIN ET ÉLÉMENT COMPRENANT DU DIAMANT MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、単結晶ダイヤモンドを含む工具、ならびに単結晶ダイヤモンドを含む部品
Abrégé : front page image
(EN) In a single-crystal diamond (20), groups of crystal defect points (20dp), which are points where distal ends of crystal defect lines (20dq) indicating lines where crystal defects (20d) are present reach a principal crystal growth face (20m), exist as aggregates in an X-ray topogram for the primary crystal growth face (20m). Furthermore, a plurality of crystal defect linear aggregation regions (20r) in which a group of crystal defect points (20dp) aggregates and extends linearly in a direction 30° or less from an arbitrarily specified direction are arranged in rows in the single-crystal diamond (20). A single-crystal diamond is thereby provided that is suitable for use in a cutting tool, a polishing tool, an optical component, an electronic component, a semiconductor material, or the like.
(FR) L’invention porte sur un diamant monocristallin (20), dans lequel des groupes de points de défauts cristallins (20dp), qui sont des points où les extrémités distales de ligne de défauts cristallins (20dq) indiquant des lignes où des défauts cristallins (20d) sont présents atteignent une face de croissance cristalline principale (20n), sont présents sous forme d’agrégats dans un topogramme obtenu à l’aide de rayons X pour la face de croissance cristalline primaire (20m). En outre, une pluralité de zones d’agrégation linéaire de défauts cristallins (20r) dans lesquelles un groupe de points de défauts cristallins (20dp) s’agrègent et s’étendent linéairement dans une direction inférieure ou égale à 30° par rapport à une direction spécifiée arbitrairement sont disposées en rangées dans le diamant monocristallin (20). De cette manière, le diamant monocristallin selon la présente invention est approprié pour être utilisé dans un outil de coupe, un outil de polissage, un élément optique, un composant électronique, un matériau semi-conducteur ou similaire.
(JA) 単結晶ダイヤモンド(20)は、結晶成長主面(20m)についてのX線トポグラフィー像において結晶欠陥(20d)が存在する線を示す結晶欠陥線(20dq)が結晶成長主面(20m)に達する先端の点である結晶欠陥点(20dp)の群が集合して存在する。さらに、単結晶ダイヤモンド(20)は、結晶欠陥点(20dp)の群が集合して任意に特定される一方向から30°以内の方向に線状に延びる結晶欠陥線状集合領域(20r)が複数並列して存在する。これにより、切削工具、研磨工具、光学部品、電子部品、半導体材料などに好適に用いられる単結晶ダイヤモンドが提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)