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1. (WO2016013555) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE COMPOSITE ÉQUIPÉ D'UNE FONCTION DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/013555 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/070757
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 22.07.2015
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01C 13/00 (2006.01) ,H01F 17/00 (2006.01) ,H01F 27/00 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01G 4/40 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/866 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : NOMURA, Masanobu; JP
TAKESHIMA, Yutaka; JP
Mandataire : YANASE, Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2014-14959823.07.2014JP
Titre (EN) ESD PROTECTION FUNCTION-EQUIPPED COMPOSITE ELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE COMPOSITE ÉQUIPÉ D'UNE FONCTION DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(JA) ESD保護機能付複合電子部品
Abrégé : front page image
(EN) An ESD protection function-equipped composite electronic component that has achieved a reduced element size is provided. Second semiconductor layers of Zener diodes (D1 to D3) are disposed in the same plane. Accordingly, while a minimum number of Zener diodes (D1 to D3) are mounted on an ESD protection function-equipped composite electronic component (100), the Zener diodes (D1 to D3) can be efficiently disposed in a limited space, whereby the structure for disposing the Zener diodes (D1 to D3) can be simplified. Thus, an ESD protection function-equipped composite electronic component (100) that has achieved a reduced element size can be provided.
(FR) L'invention concerne un composant électronique composite équipé d'une fonction de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) qui a atteint une taille d'élément réduite. Des secondes couches semi-conductrices de diodes Zener (D1 à D3) sont disposées dans le même plan. En conséquence, pendant le montage d'un nombre minimum de diodes Zener (D1 à D3) sur un composant électronique composite équipé d'une fonction de protection ESD (100), les diodes Zener (D1 à D3) peuvent être efficacement disposées dans un espace limité, moyennant quoi la structure pour disposer les diodes Zener (D1 à D3) peut être simplifiée. Il est ainsi possible de produire un composant électronique composite équipé d'une fonction de protection ESD (100) ayant atteint une taille d'élément réduite.
(JA)  素子サイズの小型化が図られたESD保護機能付複合電子部品を提供する。 各ツェナーダイオードD1~D3の第2の半導体層が同一平面に配置されている。したがって、ESD保護機能付複合電子部品100に最小限の数のツェナーダイオードD1~D3が搭載されるが、それらのツェナーダイオードD1~D3を限られたスペースに効率よく配置することができ、各ツェナーダイオードD1~D3の配置構造を簡単な構造にすることができるので、素子サイズの小型化が図られたESD保護機能付複合電子部品100を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)