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1. (WO2016013474) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRUCTURE DE CONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013474    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070356
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 16.07.2015
CIB :
H05K 3/34 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01), H01R 4/04 (2006.01), H01R 43/00 (2006.01), H05K 3/36 (2006.01)
Déposants : SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP)
Inventeurs : ISHIZAWA, Hideaki; (JP).
UENOYAMA, Shinya; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-149034 22.07.2014 JP
2014-182068 08.09.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING CONNECTION STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRUCTURE DE CONNEXION
(JA) 接続構造体の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for producing a connection structure which is capable of suppressing the amount of change in impedance. A method for producing a connection structure according to the present invention comprises: a step for arranging a conductive paste on the surface of a first connection object member; a step for arranging a second connection object member on the surface of the conductive paste such that a first electrode and a second electrode face each other; and a step for electrically connecting the first electrode and the second electrode by means of a solder part in a connection part by heating the conductive paste to a temperature that is not less than the melting point of solder particles and is not less than the curing temperature of a thermosetting component. The thickness of the solder part is set to be larger than the average particle diameter of the solder particles and to be 80 μm or less.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de production de structure de connexion qui peut supprimer la quantité de changement d'impédance. Un procédé de production d'une structure de connexion selon la présente invention comprend : une étape consistant à agencer une pâte conductrice sur la surface d'un premier élément d'objet de connexion ; une étape consistant à agencer un second élément d'objet de connexion sur la surface de la pâte conductrice de telle sorte qu'une première électrode et une seconde électrode sont tournées l'une vers l'autre ; et une étape consistant à connecter électriquement la première électrode et la seconde électrode au moyen d'une partie de soudure dans une partie de connexion par chauffage de la pâte conductrice à une température qui n'est pas inférieure au point de fusion de particules de soudure, et n'est pas inférieure à la température de durcissement d'un élément thermodurcissant. L'épaisseur de la partie de soudure est réglée pour être plus grande que le diamètre de particule moyen des particules de soudure, et pour être de 80 µm au maximum.
(JA) インピーダンスの変化量を小さくすることができる接続構造体の製造方法を提供する。 本発明に係る接続構造体の製造方法は、第1の接続対象部材の表面上に、導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの表面上に、第2の接続対象部材を、第1の電極と第2の電極とが対向するように配置する工程と、はんだ粒子の融点以上かつ熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備え、前記はんだ部の厚みを、複数の前記はんだ粒子の平均粒子径よりも大きくし、かつ、前記はんだ部の厚みを、80μm以下にする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)