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1. (WO2016013459) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR ARC SOUS VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013459    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070211
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
C23C 14/24 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), H05H 1/50 (2006.01)
Déposants : NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP)
Inventeurs : KATO, Kenji; (JP).
TAKAHASHI, Masato; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-152284 25.07.2014 JP
Titre (EN) VACUUM ARC DEPOSITION DEVICE AND VACUUM ARC DEPOSITION METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR ARC SOUS VIDE
(JA) 真空アーク蒸着装置および真空アーク蒸着法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a vacuum arc deposition device that makes it possible to suitably control a film formation area on the surface of a substrate and form a thin film having good quality; and a vacuum arc deposition method. The vacuum arc deposition device performs arc discharge on a cathode formed from a carbon material, causes the carbon material to evaporate so that plasma is generated in a beam state, and forms a film by causing the carbon material to be deposited on a substrate surface. The vacuum arc deposition device is provided with: a cathode provided with at least one protrusion that protrudes toward a substrate; a magnetic field generation means that is arranged in the vicinity of the cathode and that generates a magnetic field around the cathode; and a dynamic magnetic field formation means that causes the magnetic field generation means to move and forms a dynamic magnetic field around the cathode. The vacuum arc deposition device is configured so as to form a film by using the dynamic magnetic field that is formed around the cathode to make the plasma in a beam state scan the substrate surface.
(FR)L'invention concerne : un dispositif de dépôt par arc sous vide qui permet de régler adéquatement une zone de formation de film sur la surface d'un substrat et de former un film mince de bonne qualité ; un procédé de dépôt par arc sous vide. Le dispositif de dépôt par arc sous vide effectue une décharge en arc sur une cathode formée d'un matériau en carbone, amène le matériau en carbone à s'évaporer de sorte que du plasma est produit sous forme de faisceau et forme un film en amenant le matériau en carbone à être déposé sur une surface de substrat. Le dispositif de dépôt par arc sous vide est pourvu : d'une cathode pourvue d'au moins une partie saillante qui fait saillie vers un substrat ; d'un moyen de génération de champ magnétique qui est disposé à proximité de la cathode et qui génère un champ magnétique autour de la cathode ; d'un moyen de formation de champ magnétique dynamique qui amène le moyen de production de champ magnétique à se déplacer et qui forme un champ magnétique dynamique autour de la cathode. Le dispositif de dépôt par arc sous vide est conçu de façon à former un film à l'aide du champ magnétique dynamique qui est formé autour de la cathode pour amener le plasma sous forme de faisceau à balayer la surface du substrat.
(JA) 基材の表面における成膜領域を適切に制御して、良質な薄膜を成膜することができる真空アーク蒸着装置および真空アーク蒸着法を提供する。カーボン材料によって形成された陰極にアーク放電を行ってカーボン材料を蒸発させることによりビーム状のプラズマを発生させ、基材表面にカーボン材料を蒸着させて成膜する真空アーク蒸着装置であって、基材に向けて突出する少なくとも1つの突起部を備えた陰極と、陰極の近傍に配置されて陰極の周囲に磁界を生じさせる磁界発生手段と、磁界発生手段を移動させて陰極の周囲に動磁場を形成する動磁場形成手段とを備えており、陰極の周囲に形成された動磁場によりビーム状のプラズマを基材表面に走査させて成膜するように構成されている真空アーク蒸着装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)