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1. (WO2016013416) OXYDE DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/013416 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/069852
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 10.07.2015
CIB :
C01G 33/00 (2006.01) ,C04B 35/00 (2006.01) ,H01G 4/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
33
Composés du niobium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
018
Diélectriques
06
Diélectriques solides
08
Diélectriques inorganiques
12
Diélectriques céramiques
Déposants :
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 石川県能美市旭台一丁目1番地 1-1, Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa 9231292, JP
アダマンド株式会社 ADAMANT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都足立区新田1丁目16番7号 16-7, Shinden 1-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238595, JP
Inventeurs :
下田 達也 SHIMODA, Tatsuya; JP
井上 聡 INOUE, Satoshi; JP
有賀 智紀 ARIGA, Tomoki; JP
Mandataire :
河野 広明 KOUNO, Hiroaki; JP
Données relatives à la priorité :
2014-15194225.07.2014JP
Titre (EN) OXIDE DIELECTRIC AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLID STATE ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) OXYDE DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide an oxide dielectric having excellent properties and a solid state electronic device (e.g., a capacitor, semiconductor device, or micro-electrical-mechanical system) equipped with the oxide dielectric. [Solution] An oxide layer (30) including one of the oxide dielectrics of the present invention is a layer of oxide (which may have unavoidable impurities) that includes bismuth (Bi) and niobium (Nb), and has a first crystal phase of a pyrochlore-type crystal structure and a second crystal phase of a β-BiNbO4-type crystal structure. In addition, the content of the first crystal phase and the content of the second crystal phase are adjusted in the oxide layer (30), the dielectric constant of the first crystal phase decreasing with the rise in the temperature of the oxide layer (30) in a temperature range of 25°C to 120°C and the dielectric constant of the second crystal phase increasing with the rise in the temperature of the oxide layer (30) in said temperature range.
(FR) La présente invention concerne un oxyde diélectrique ayant d'excellentes propriétés et un dispositif électronique à solide (par exemple, un condensateur, un dispositif à semi-conducteur ou un système micro-électromécanique) équipé de l'oxyde diélectrique. Une couche d'oxyde (30) comprenant l'un des oxydes diélectriques de la présente invention est une couche d'oxyde (qui peut avoir des impuretés inévitables) qui comprend du bismuth (Bi) et du niobium (Nb), et a une première phase cristalline de structure cristalline de type pyrochlore et une seconde phase cristalline de type bêta-BiNbO4. De plus, le contenu de la première phase cristalline et le contenu de la seconde phase cristalline sont ajustés dans la couche d'oxyde (30), la constante diélectrique de la première phase cristalline diminuant avec l'augmentation de la température de la couche d'oxyde (30) dans une plage de températures allant de 25 °C à 120 °C et la constante diélectrique de la seconde phase cristalline augmentant avec l'élévation de la température de la couche d'oxyde (30) dans ladite plage de températures.
(JA) 【課題】優れた特性を有する酸化物誘電体、及びその酸化物誘電体を備えた固体電子装置(例えば、キャパシタ、半導体装置、又は微小電気機械システム)を提供する。 【解決手段】本発明の1つの酸化物誘電体からなる酸化物層30は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)の層であって、パイロクロア型結晶構造の第1結晶相と、β-BiNbO型結晶構造の第2結晶相とを含有している。加えて、該酸化物層30は、25℃以上120℃以下の温度範囲において酸化物層30の温度の上昇に伴って比誘電率が低下する第1結晶相の含有量と、該温度範囲において酸化物30の温度の上昇に伴って比誘電率が上昇する第2結晶相の含有量とが調整されたものである。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)