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1. (WO2016013413) ÉLÉMENT D'ANALYSEUR D'IMAGE ÉLECTRONIQUE, CONVERTISSEUR ANALOGIQUE-NUMÉRIQUE, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013413    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/069830
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 10.07.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : IKEDA Yusuke; (JP).
ANAI Daijiro; (JP).
YOSHIKAWA Rei; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-152278 25.07.2014 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, AD CONVERTER, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT D'ANALYSEUR D'IMAGE ÉLECTRONIQUE, CONVERTISSEUR ANALOGIQUE-NUMÉRIQUE, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、AD変換器、および電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a solid-state image pickup element whereby crosstalk characteristics can be improved, an AD converter, and an electronic apparatus. This AD converter has: a comparator that compares pixel signals and a reference signal with each other; a pixel signal-side capacitor connected between a pixel-signal signal line that transmits the pixel signals, and one input terminal of the comparator; and a reference signal-side capacitor connected between a reference-signal signal line that transmits the reference signal, and the other input terminal of the comparator. The pixel signal-side capacitor and the reference signal-side capacitor are formed such that a first parasitic capacitance, which is generated between a comparator-side node of the reference signal-side capacitor, and a pixel signal line-side node of a pixel signal-side capacitor connected to adjacent another AD converter, and a second parasitic capacitance, which is generated between the comparator-side node of the pixel signal-side capacitor, and the pixel signal line-side node of the pixel signal-side capacitor connected to the adjacent AD converter, are substantially same. The present art is applicable to, for instance, CMOS image sensors.
(FR)La présente invention concerne un élément d'analyseur d'image électronique dont les caractéristiques de diaphonie peuvent être améliorées, un convertisseur analogique-numérique, et un appareil électronique. Ce convertisseur analogique-numérique comprend : un comparateur, comparant des signaux de pixel avec un signal de référence ; un condensateur côté signal de pixel, connecté entre une ligne de signal pour signal de pixel transmettant les signaux de pixel et une borne d'entrée du comparateur ; et un condensateur côté signal de référence, connecté entre une ligne de signal pour signal de référence transmettant le signal de référence et l'autre borne d'entrée du comparateur. Le condensateur côté signal de pixel et le condensateur côté signal de référence sont formés de façon à ce qu'une première capacitance parasite, générée entre un nœud côté comparateur du condensateur côté signal de référence, et un nœud côté ligne de signal de pixel d'un condensateur côté signal de pixel connecté à un autre convertisseur analogique-numérique adjacent, et une seconde capacitance parasite, générée entre le nœud côté comparateur du condensateur côté signal de pixel, et le nœud côté ligne de signal de pixel du condensateur côté signal de pixel connecté au convertisseur analogique-numérique adjacent, sont sensiblement identiques. La présente technique peut s'appliquer par exemple à des capteurs d'image CMOS.
(JA) 本開示は、クロストーク特性の改善を図ることができるようにする固体撮像素子、AD変換器、および電子機器に関する。 AD変換器は、画素信号と参照信号とを比較する比較器と、画素信号を伝送する画素信号用信号線と比較器の一方の入力端子との間に接続される画素信号側キャパシタと、参照信号を伝送する参照信号用信号線と比較器の他方の入力端子との間に接続される参照信号側キャパシタとを有する。そして、隣接する他のAD変換器に接続される画素信号側キャパシタの画素信号線側のノードとの間において、参照信号側キャパシタの比較器側のノードとの間で発生する第1の寄生容量と、画素信号側キャパシタの比較器側のノードとの間で発生する第2の寄生容量とが略同一となるように、画素信号側キャパシタおよび参照信号側キャパシタが形成される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)