WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016013396) ÉLÉMENT DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES ET CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/013396 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/069623
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 08.07.2015
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/08 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : MORI, Hideki; JP
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2014-15222525.07.2014JP
Titre (EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION ELEMENT AND ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT
(FR) ÉLÉMENT DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES ET CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(JA) 静電保護素子および静電保護回路
Abrégé : front page image
(EN) This electrostatic discharge protection element is provided with an insulating body and a semiconductor layer. The semiconductor layer comprises: an element formation region in which a first impurity diffusion layer of a first conductivity type, a body region, a second impurity diffusion layer of the first conductivity type, and a region of a second conductivity type containing an impurity diffusion layer of the second conductivity type that is electrically isolated from the body region are sequentially arranged; and an element isolation region that is provided with an element isolation layer that surrounds the element formation region. This electrostatic discharge protection element is additionally provided with a gate electrode on the body region in the semiconductor layer such that the gate electrode is provided thereon with an insulating film being interposed therebetween.
(FR) La présente invention concerne un élément de protection contre les décharges électrostatiques pourvu d'un corps isolant et d'une couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice comporte : une zone de formation d'élément dans laquelle une première couche de diffusion d'impuretés d'un premier type de conductivité, une zone de corps, une seconde couche de diffusion d'impuretés du premier type de conductivité, et une zone d'un second type de conductivité contenant une couche de diffusion d'impuretés du second type de conductivité, qui est électriquement isolée de la zone de corps, sont séquentiellement disposées; une zone d'isolation d'élément qui est pourvue d'une couche d'isolation d'élément qui entoure la zone de formation d'élément. Cet élément de protection contre les décharges électrostatiques est en outre pourvu d'une électrode de grille sur la zone de corps dans la couche semi-conductrice, l'électrode de grille étant disposée sur la zone de corps, un film isolant étant intercalé entre elles.
(JA)  この静電保護素子は、絶縁体と半導体層とを備える。半導体層は、第1の第1導電型不純物拡散層、ボディ領域、第2の第1導電型不純物拡散層、およびボディ領域と電気的に分離された第2導電型不純物拡散層を含む第2導電型領域が順に並ぶ素子形成領域と、この素子形成領域を取り囲む素子分離層が設けられた素子分離領域とを有する。半導体層におけるボディ領域の上には、絶縁膜を介して設けられたゲート電極をさらに備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)