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1. (WO2016013262) SUBSTRAT À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013262    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/061675
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 16.04.2015
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : KIYAMA, Makoto; (JP).
HIROTA, Ryu; (JP).
NAKAHATA, Seiji; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-150846 24.07.2014 JP
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
(JA) 窒化ガリウム基板
Abrégé : front page image
(EN)This gallium nitride substrate has a surface in the C-plane with a diameter of 100mm or greater, and, in microscopic photoluminescence mapping at 25°C in a square region having 2mm sides in the C-plane, comprises a first region and a second region having different average values of band-edge emission intensity, wherein the average value Ibe1a of the band-edge emission intensity of the first region and the average value Ibe2a of the band-edge emission intensity of the second region fulfill the relational expressions (I) and (II) below. Ibe1a>Ibe2a … (I) 2.1 ≦ Ibe1a/Ibe2a ≦ 9.4 … (II)
(FR)Ce substrat à base de nitrure de gallium présente une surface dans le plan C d'un diamètre d'au moins 100 mm et, en cartographie microscopique de la photoluminescence à 25 °C dans un carré de 2 mm de côté dans le plan C, il comprend une première zone et une seconde zone présentant différentes valeurs moyennes d'intensité d'émission en limite de bande, la valeur moyenne Ibe1a de l'intensité d'émission en limite de bande de la première zone et la valeur moyenne Ibe2a de l'intensité d'émission en limite de bande de la seconde zone respectant les relations (I) et (II) ci-dessous. Ibe1a > Ibe2a … (I) 2,1 ≦ Ibe1a/Ibe2a ≤ 9,4 … (II)
(JA) 直径が100mm以上のC面を表面とする窒化ガリウム基板であって、C面内の1辺が2mmの正方形の領域の25℃での顕微フォトルミネッセンスマッピングにおいて、バンド端発光強度の平均値が異なる第1領域と第2領域とを有し、第1領域のバンド端発光強度の平均値Ibe1aと、第2領域のバンド端発光強度の平均値Ibe2aとは、以下の関係式(I)および(II) Ibe1a>Ibe2a …(I) 2.1≦Ibe1a/Ibe2a≦9.4 …(II) を満たす窒化ガリウム基板。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)