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1. (WO2016013259) SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/013259 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/061197
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 10.04.2015
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 33/06 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventeurs : KIYAMA, Makoto; JP
HIROTA, Ryu; JP
NAKAHATA, Seiji; JP
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2014-15084524.07.2014JP
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM
(JA) 窒化ガリウム基板
Abrégé : front page image
(EN) This gallium nitride substrate has a surface with a diameter of 100mm or greater. In square regions having 2mm sides in each of a total of five sites, including the center and four peripheral sites on the surface of the gallium nitride substrate, the difference between the maximum value and minimum value of the frequency at the highest of the peaks corresponding to the E2H phonon modes in microscopic Raman scattering mapping measurement is 0.1-2cm-1, and, at all five of the measurement points, the difference between the maximum value and minimum value of the frequency at the highest of the peaks corresponding to the E2H phonon modes is less than or equal to 2cm-1.
(FR) L'invention porte sur un substrat en nitrure de gallium ayant une surface ayant un diamètre supérieur ou égal à 100 mm. Dans de zones carrées ayant des côtés de 2 mm dans chacun d'un total de cinq sites, y compris le centre et quatre sites périphériques sur la surface du substrat en nitrure de gallium, la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de la fréquence au plus haut des pics correspondant aux modes de phonons E2 H en mesure de cartographie par diffusion Raman microscopique est de 0,1 à 2 cm-1 et, au niveau de la totalité des cinq points de mesure, la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de la fréquence au plus haut des pics correspondant aux modes de phonons E2 H est inférieure ou égale à 2 cm-1.
(JA)  直径が100mm以上の表面を有する窒化ガリウム基板であって、前記窒化ガリウム基板の前記表面の中央と周縁の4箇所の合計5箇所のそれぞれの箇所の1辺が2mmの正方形の領域における顕微ラマン散乱マッピング測定におけるE2Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数の最大値と最小値との差が0.1cm-1以上2cm-1以下であって、前記5箇所の全測定点におけるE2Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数の最大値と最小値との差が2cm-1以下である、窒化ガリウム基板である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)