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1. (WO2016013239) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SEMICONDUCTEUR COMPOSÉ ET SOLUTION DE NETTOYAGE DE SEMICONDUCTEUR COMPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013239    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/054471
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 18.02.2015
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventeurs : NAGAO Kenji; (JP).
NAKAMURA Kenichi; (JP).
TERAMOTO Akinobu; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-149018 22.07.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SOLUTION FOR CLEANING OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SEMICONDUCTEUR COMPOSÉ ET SOLUTION DE NETTOYAGE DE SEMICONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体を洗浄する方法、化合物半導体の洗浄用の溶液
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for cleaning a compound semiconductor, which is capable of reducing environmental load. This method for cleaning a compound semiconductor comprises a step for carrying out a treatment (4) for cleaning a compound semiconductor that comprises gallium as a constituent element at a temperature of 70°C or more with use of a solution (17) which contains pure water and less than 65 wt% of sulfuric acid and has a hydrogen ion concentration of pH 2 or less and a redox potential of 0.6 volt or more.
(FR)La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'un semiconducteur composé, qui permet de réduire la charge environnementale. Ce procédé de nettoyage d'un semiconducteur composé comprend une étape de réalisation d'un traitement (4) de nettoyage d'un semiconducteur composé qui comprend du gallium en tant qu'élément constitutif à une température supérieure ou égale à 70 °C à l'aide d'une solution (17) qui contient de l'eau douce et présente une teneur en acide sulfurique inférieure à 65 % en poids, et présente une concentration en ions hydrogène de pH inférieur ou égal à 2 et un potentiel redox supérieur ou égal à 0,6 volt.
(JA)環境負荷を低減可能な、化合物半導体を洗浄する方法を提供する。化合物半導体を洗浄する方法は、純水と65wt%未満の硫酸とを含みpH2以下の水素イオン濃度及び0.6ボルト以上の酸化還元電位を有する溶液17を用いて、構成元素としてガリウムを備える化合物半導体に洗浄のための処理4を摂氏70度以上の温度で施す工程を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)