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1. (WO2016013022) DISPOSITIF INTERRUPTEUR À SYSTÈME DE CONTACT À DOUBLE MOUVEMENT RELATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/013022    N° de la demande internationale :    PCT/IN2015/000243
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 16.06.2015
CIB :
H01H 3/42 (2006.01), H01H 33/88 (2006.01), H01H 33/42 (2006.01)
Déposants : BHARAT HEAVY ELECTRICALS LIMITED [IN/IN]; Regional Operations Division (ROD) Plot No.9/1 DJ Block, 3rd Floor Karunamoyee Salt Lake City Kolkata 700 091 (IN)
Inventeurs : DR. MANDAVA MOHANA RAO; (IN)
Mandataire : G S DAVAR; c/o LS Davar & Co. 32 Radha Madhav Dutta Garden Lane Kolkata 700010, West Bengal (IN)
Données relatives à la priorité :
788/KOL/2014 22.07.2014 IN
Titre (EN) INTERRUPTER DEVICE WITH RELATIVE DUAL MOTION CONTACT SYSTEM
(FR) DISPOSITIF INTERRUPTEUR À SYSTÈME DE CONTACT À DOUBLE MOUVEMENT RELATIF
Abrégé : front page image
(EN)An interrupter device to improve interrupting performance for high voltage circuit breakers comprising a first movable contact assembly wherein comprises a socket (1) encapsulated by a insulating shroud (3); the said socket being held on a support or protection volume (2) and a dynamic current carrying contact assembly (4) wherein the socket contact assembly (1, 2, 3) and dynamic contact (4) being coupled by a nozzle (5) a second movable contact assembly (6), disposed within a dynamic field controlled electrode (7) and the said arrangement is positioned inside a static current carrying contact assembly wherein comprises a static current carrying contact (8) and static CC contact shield (9) three coherent volumes to effectuate steady wherein the gas flow rate at the time of interruption third volume (14) is coupled in series with the said protection volume (2) wherein the main drive is coupled to dynamic field controlled electrode to effectuate relative motion contact system.
(FR)L'invention concerne un dispositif interrupteur qui permet d'améliorer l'efficacité d'interruption de disjoncteurs haute tension et qui comporte un premier ensemble contact mobile qui comporte une douille (1) encapsulée dans une enveloppe isolante (3), ladite douille étant maintenue sur un support ou un volume de protection (2), et un ensemble contact porteur de courant dynamique (4), l'ensemble contact à douille (1, 2, 3) et le contact dynamique (4) étant couplés par une buse (5), un second ensemble contact mobile (6), disposé à l'intérieur d'une électrode de commande de champ dynamique (7), ledit agencement étant positionné à l'intérieur d'un ensemble contact porteur de courant fixe qui comporte un contact porteur de courant fixe (8) et un écran protecteur de contact CC fixe (9), trois volumes cohérents pour un fonctionnement stable, le débit de gaz au moment d'interruption du troisième volume (14) étant couplé en série avec ledit volume de protection (2), le circuit d'attaque principal étant couplé à l'électrode de commande de champ dynamique pour effectuer un mouvement relatif du système de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)