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1. (WO2016012987) STRUCTURE MÉSOSCOPIQUE POUR DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À BASE DE PÉROVSKITE ORGANIQUE-INORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/012987    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/055627
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 24.07.2015
CIB :
H01L 51/42 (2006.01), H01G 9/20 (2006.01)
Déposants : ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) [CH/CH]; EPFL-TTO EPFL Innovation Park J CH-1015 Lausanne (CH).
HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; Luoyu Road 1037 Wuhan, Hubei 430074 (CN)
Inventeurs : WANG, Mingkui; (CN).
CAO, Kun; (CN).
CUI, Jin; (CN).
ZUO, Zhixiang; (CN).
SHEN, Yan; (CN).
ZAKEERUDDIN, Shaik Mohammad; (CH).
GRAETZEL, Michael; (CH)
Mandataire : GANGUILLET, Cyril; (CH)
Données relatives à la priorité :
201410357437.0 24.07.2014 CN
Titre (EN) MESOSCOPIC FRAMEWORK FOR ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE BASED PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) STRUCTURE MÉSOSCOPIQUE POUR DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À BASE DE PÉROVSKITE ORGANIQUE-INORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention discloses a perovskite solar cell and a method of fabrication thereof. The perovskite solar cell sequentially comprises a transparent electrode, a mesoporous P-I-N framework and a counter electrode from the bottom to top; the mesoporous P-I-N framework is composed of an n-type semiconductor layer, an insulating layer, and a p-type semiconductor layer in a sequentially stacked mode, and the n-type semiconductor layer, the insulating layer and the p-type semiconductor layer all comprise mesopores filled with a perovskite material. The preparation method sequentially includes preparing the mesoporous P-I-N framework on a transparent conductive substrate through a spin-coating method or a screen printing method, filling with the perovskite material and preparing the counter electrode layer.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire de pérovskite et son procédé de fabrication. La cellule solaire de pérovskite comprend séquentiellement une électrode transparente, une structure P-I-N mésoporeuse et une contre-électrode, du bas vers le haut; la structure P-I-N mésoporeuse est composée d'une couche semi-conductrice de type N, d'une couche isolante, et d'une couche semi-conductrice de type P empilées de manière séquentielle, la couche semi-conductrice de type N, la couche isolante et la couche semi-conductrice de type P comprenant toutes des mésopores remplis d'un matériau de pérovskite. Le procédé de préparation consiste de manière séquentielle à préparer la structure P-I-N mésoporeuse sur un substrat conducteur transparent par un procédé de dépôt par centrifugation ou un procédé d'impression par écran, remplir avec le matériau de pérovskite et préparer la couche de contre-électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)