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1. (WO2016012809) TECHNIQUE DE MESURE POUR LA CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/012809    N° de la demande internationale :    PCT/GB2015/052153
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 24.07.2015
CIB :
G01N 22/00 (2006.01)
Déposants : THE SECRETARY OF STATE FOR BUSINESS, INNOVATION & SKILLS [GB/GB]; 1 Victoria Street London SW1 0ET (GB)
Inventeurs : HAO, Ling; (GB).
GALLOP, John Charles; (GB)
Mandataire : POWELL, Stephen; (GB)
Données relatives à la priorité :
1413237.7 25.07.2014 GB
Titre (EN) MEASUREMENT TECHNIQUE FOR THIN-FILM CHARACTERIZATION
(FR) TECHNIQUE DE MESURE POUR LA CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A measurement device comprises a high permittivity dielectric resonator (10) with a low microwave loss tangent and having at least a first symmetry axis (z-i ); an electrically conductive resonance chamber (100) containing and geometrically similar to the resonator (10) and having a second symmetry axis (z2) coincident with the first symmetry axis (z-i ); the resonance chamber (100) having a plurality of similar ports (104) orthogonal to the first symmetry axis (z-i ), each such port (104) having a microwave antenna (1 14), either to inject microwaves into the resonance chamber, thereby to excite an electric field in the resonator, or to receive microwaves from the resonance chamber; and a comparator circuit (200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) connected to a first one (P1 ) of the plurality of ports (104) to inject microwaves into the resonance chamber and to another (P2, P3) of the plurality of ports (104) to receive microwaves from the resonance chamber; wherein the measurement device further comprises an electrically conductive tuning screw (106) in electrical contact with the resonance chamber (100), the tuning screw being at least partially positionable in the electric field thereby excited in the resonator; and a source of magnetism (18) to apply a magnetic field to a sample brought into proximity with a top surface (12) of the resonator (10) substantially parallel or anti-parallel to the first symmetry axis (z-i ); and wherein one (P3) of the other of the plurality of ports (104) to receive microwaves from the resonance chamber (100) is orthogonal to the first one (P1 ) of the plurality of ports (104) to inject microwaves into the resonance chamber. Such a measurement device may be used to measure both the conductivity or sheet resistance of a thin film (30), as well as the carrier mobility of the thin film, without contacting the resonator (10) with either the thin film or a substrate (20) on which the thin film is formed.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de mesure comprenant un résonateur diélectrique à permittivité élevée (10) à faible facteur de dissipation de micro-ondes et ayant au moins un premier axe de symétrie (z-i); une chambre de résonance électroconductrice (100) contenant le résonateur (10) et géométriquement similaire à celui-ci et ayant un second axe de symétrie (z2) coïncident avec le premier axe de symétrie (z-i); la chambre de résonance (100) ayant une pluralité de ports similaires (104) orthogonaux au premier axe de symétrie (z-i), chacun desdits ports (104) comprenant une antenne hyperfréquence (114), soit pour injecter des micro-ondes dans la chambre de résonance et exciter ainsi un champ électrique dans le résonateur, soit pour recevoir les micro-ondes provenant de la chambre de résonance; et un circuit comparateur (200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) connecté à un premier port (P1) de la pluralité de ports (104) pour injecter des micro-ondes dans la chambre de résonance et à d'autres ports (P2, P3) de la pluralité de ports (104) pour recevoir les micro-ondes provenant de la chambre de résonance; le dispositif de mesure comprenant en outre une vis de réglage électroconductrice (106) en contact électrique avec la chambre de résonance (100), la vis de réglage pouvant être au moins en partie positionnée dans le champ électrique ainsi excité dans le résonateur; et une source de magnétisme (18) pour appliquer un champ magnétique sur un échantillon amené à proximité d'une surface supérieure (12) du résonateur (10) sensiblement parallèle ou anti-parallèle au premier axe de symétrie (z-i); et un port (P3) parmi les autres ports de la pluralité de ports (104) pour recevoir des micro-ondes provenant de la chambre de résonance (100) étant orthogonal au premier port (P1) de la pluralité de ports (104) pour injecter des micro-ondes dans la chambre de résonance. Un tel dispositif de mesure peut être utilisé pour mesurer à la fois la conductivité ou la résistance de couche d'une couche mince (30), ainsi que la mobilité de porteur de charge de la couche mince, sans mettre en contact le résonateur (10) avec soit la couche mince soit un substrat (20) sur lequel est formé la couche mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)